Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si

DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46754.33

Переводная версия: 10.1134/S1063782618120060

Байдусь Н.В.¹, Алешкин В.Я.², Дубинов А.А.², Красильник З.Ф.², Кудрявцев К.Е.², Некоркин С.М.¹, Новиков А.В.², Рыков А.В.¹, Реунов Д.Г.¹, Шалеев М.В.¹, Юнин П.А.², Юрасов Д.В.²

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: aleshkin@ipm.sci-nnov.ru, sanya@imp.sci-nnov.ru, bnv@nifi.unn.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках GaAs и искусственных подложках Ge/Si на основе Si(001) с эпитаксиальным метаморфным слоем Ge выращены лазерные структуры с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs. Для подавления релаксации упругих напряжений при росте квантовых ям InGaAs с высокой долей In применялись компенсирующие слои GaAsP. Сопоставлены структурные и излучательные свойства образцов, выращенных на различных типах подложек. На структурах, выращенных на подложках GaAs, получено стимулированное излучение на длинах волн до 1.24 мкм при температуре 300 K, выращенных на подложках Ge/Si - на длинах волн до 1.1 мкм при температуре 77 K.

J. Wang, X. Ren, C. Deng, H. Hu, Yu He, Zh. Cheng, H. Ma, Y. Huang, X. Duan, X. Yan. J. Lightwave Technol., 33, 3163 (2015)
V.Ya. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov et al. Appl. Phys. Lett., 109, 061111 (2016)
В.Я. Алешкин, Н.В. Байдусь, А.А. Дубинов, К.Е. Кудрявцев, С.М. Некоркин, А.В. Новиков, А.В. Рыков, И.В. Самарцев, А.Г. Фефелов, Д.В. Юрасов, З.Ф. Красильник. ФТП, 51 (11), 1530 (2017)
Н.В. Байдусь, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, К.Е. Кудрявцев, С.М. Некоркин, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, А.В. Рыков, А.А. Сушков, М.В. Шалеев, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов, А.Н. Яблонский, З.Ф. Красильник. ФТП, 51 (11), 1579 (2017)
Д.А. Винокуров, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, А.Д. Бондарев, Н.А. Рудова, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (9), 1274 (2011)
N. Tansu, L.J. Mawst. IEEE Photon. Technol. Lett., 13, 179 (2001)
N. Tansu, J.Y. Yeh, L.J. Mawst. Appl. Phys. Lett., 83, 2112 (2003)
Д.В. Юрасов, А.И. Бобров, В.М. Данильцев, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин. ФТП, 49, 1463 (2015)
L.W. Sung, H.H. Lin. Appl. Phys. Lett., 83, 1107 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель