Полностью электрическое управление разверткой лазерного луча на основе квантово-размерной гетероструктуры с интегрированным распределенным брэгговским зеркалом
Российский научный фонд, Конкурс 2017 года «Проведение инициативных исследований молодыми учеными» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 17-79-10339
Шашкин И.С.
1, Соболева О.С.
1, Гаврина П.С.1, Золотарев В.В.
1, Слипченко С.О.
1, Пихтин Н.А.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shashkin@mail.ioffe.ru, soboleva@mail.ioffe.ru, gavrina@mail.ioffe.ru, zolotarev.bazil@mail.ioffe.ru, SergHPL@mail.ioffe.ru, nike@hpld.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
Проведены теоретические исследования характеристик полупроводниковых чип-модуляторов, обеспечивающих угловое отклонение направленного лазерного излучения за счет полностью электрической модуляции оптических характеристик полупроводниковой гетероструктуры. Разработаны конструкции квантово-размерных полупроводниковых волноводных гетероструктур с распределенным брэгговским зеркалом, интегрально сформированным на поверхности гетероструктуры. Предложена конструкция волноводной структуры, включающей 20 периодов связанных асимметричных квантовых ям, обеспечивающих значение фактора оптического ограничения волноводной моды 20%, и оптимизированный профиль легирования, позволяющий сохранить равномерное распределение электрического поля в области квантовых ям во всем диапазоне рабочих напряжений. В предложенной волноводной структуре изменение показателя преломления за счет квантово-размерного эффекта Штарка достигает 0.086 при изменении управляющего сигнала от 0 до 6 В. Для предложенной конструкции волноводной структуры продемонстрирована возможность пространственной (угловой) развертки в диапазоне 1-2o для лазерного излучения, выводимого с поверхности распределенного брэгговского зеркала, при расходимости менее 0.1o.
- В.В. Золотарев, А.Ю. Лешко, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Я.В. Лубянский, Н.В. Воронкова, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 45 (12), 1091 (2015)
- W. Streifer, D. Scifres, R. Burnham. IEEE J. Quant. Electron., 13 (4), 134 (1977)
- W. Streifer, D. Scifres, R. Burnham. IEEE J. Quant. Electron., 12 (7), 422 (1976)
- L.A. Coldren, S.W. Corzine, M. Mashanovitch. Diode lasers and photonic integrated circuits 2nd edn (Hoboken, N.J., Wiley, 2012)
- J.I. Pankove. Chap. 4. In: Optical processes in semiconductors (N.Y., Dover, 1971) p. 89
- J.S. Weiner, D.A.B. Miller, D.S. Chemla. Appl. Phys. Lett., 50, 842 (1987)
- G. Bastard, E.E. Mendez, L.L. Chang, L. Esaki. Phys. Rev. B, 26 (4), 1974 (1982)
- Yasuo Kan, H. Nagai, M. Yamanishi, I. Suemune. IEEE J. Quant. Electron., 23 (12), 2167 (1987)
- K. Nakamura, A. Shimizu, K. Fujii, M. Koshiba, K. Hayata. IEEE J. Quant. Electron., 28 (7), 1670 (1992)
- H. Feng, J.P. Pang, M. Sugiyama, K. Tada, Y. Nakano. IEEE J. Quant. Electron., 34, 1197 (1998)
- X. Zhi-Xin. Optoelectron. Lett., 3, 0246 (2007)
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Н.А. Пихтин, А.Л. Станкевич, Н.А. Рудова, А.Ю. Лешко, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (5), 682 (2011)
- Программный пакет Silvaco Atlas www.silvaco.com
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
