Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников

DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46762.42

Переводная версия: 10.1134/S1063782618120163

Маремьянин К.В.¹, Иконников А.В.², Бовкун Л.С.¹, Румянцев В.В.¹, Чижевский Е.Г.³, Засавицкий И.И.³, Гавриленко В.И.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

³Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: kirillm@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе твердого раствора Pb_1-xSn_xSe созданы и исследованы длинноволновые диффузионные инжекционные лазеры, излучающие вплоть до рекордно большой длины волны 50.4 мкм. Монокристаллы Pb_1-xSn_xSe выращивались из паровой фазы в условиях свободного роста. На примере узкозонного полупроводника HgCdTe и гетероструктуры с квантовой ямой показана возможность использования разработанных лазеров для спектроскопии твердого тела.

H. Hirayama, W. Terashima. Proc. SPIE, 9585, 958504 (2015)
A.R. Calawa, J.O. Dimmock, T.C. Harman, I. Melngailis. Phys. Rev. Lett., 23, 7 (1969)
Г.С. Баронов, Д.К. Бронников, И.И. Засавицкий, С.М. Караваев, А.С. Разумов, А.П. Шотов. Тез. докл. XIX Всес. съезда по спектроскопии (Томск, Россия, 1983) ч. IV, с. 25
И.И. Засавицкий, А.В. Матвеенко, Б.Н. Мацонашвили, В.Т. Трофимов. ФТП, 20, 214 (1986)
И.И. Засавицкий. Тр. ФИАН (Оптические и электрические свойства полупроводников), 224, 3 (1993)
Л.Н. Курбатов, А.Д. Бритов, C.M. Караваев, С.Д. Савченко, С.Н. Максимовский, И.И. Овчинников, М.М. Рзаев, П.М. Старик. Письма ЖЭТФ, 37, 422 (1983)
К.В. Маремьянин, В.В. Румянцев, А.В. Иконников, Л.С. Бовкун, Е.Г. Чижевский, И.И. Засавицкий, В.И. Гавриленко. ФТП, 50, 1697 (2016)
Д.М. Гуреев, И.И. Засавицкий, Б.Н. Мацонашвили, А.П. Шотов. ФТП, 12, 1743 (1978)
Д.М. Гуреев, О.И. Даварашвили, И.И. Засавицкий, Б.Н. Мацонашвили, А.П. Шотов. ФТП, 13, 1752 (1979)
К.В. Маремьянин, А.В. Иконников А.В. Антонов, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, Л.С. Бовкун, К.Р. Умбеталиева, Е.Г. Чижевский, И.И. Засавицкий, В.И. Гавриленко. ФТП, 49, 1672 (2015)
S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Y. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. J. Electron. Mater., 39, 918 (2010)
А.В. Иконников, М.С. Жолудев, В.И. Гавриленко, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий. ФТП, 47, 1569 (2013)
L.S. Bovkun, A.V. Ikonnikov, V.Y. Aleshkin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretski, F. Teppe, B. Piot, M. Potemski, M. Orlita. https://arxiv.org/abs/1711.08783 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель