Впервые исследованы спектры люминесценции примесных центров Та в CdTe. Обнаружено, что при переходе электронной системы центров от 3d(V) к 5d(Ta) происходит существенное изменение характеристик примесного излучения. Идентификация электронных переходов проведена по диаграммам Танабе-Сугано теории кристаллического поля. Установлено, что излучательные переходы происходят на изолированных центрах Ta³⁺_Cd между уровнями с различным значением спина. Температурное уширение бесфононной линии Та вызвано взаимодействием d-электронов центра с ТА-фононами кристаллической решетки. Однако при интерпретации данных по ее температурному сдвигу следует учесть гибридизацию локальных примесных и зонных состояний. Температурное гашение люминесценции происходит c энергиями активации 60 и 160 мэВ. Излучательное время жизни центров CdTe : Ta составляет 1.5 мкс.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.