Вышедшие номера
Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции
Переводная версия: 10.1134/S1063782618130031
Александров О.В.1, Агеев А.Н.1, Золотарев С.И.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Aleksandr_ov@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.

Изучено накопление зарядов в МОП-структурах с легированным и нелегированным поликремниевым затвором с Al-контактами и без них при тунннельной инжекции электронов из затвора и из кремниевой подложки. Показано, что независимо от полярности инжекции вблизи поликремниевого затвора накапливается отрицательный заряд, а вблизи кремниевой подложки положительный. При больших зарядах инжекции вблизи кремниевой подложки также появляется отрицательный заряд. Результаты описаны с помощью численной модели, в которой учтено образование электронных ловушек при нанесении Al-контактов и генерация электронных ловушек при рекомбинации свободных электронов с захваченными на ловушки дырками.