Вышедшие номера
Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках c-сапфира различной геометрии
Переводная версия: 10.1134/S1063782618130158
Семенов А.Н.1, Нечаев Д.В.1, Трошков С.И.1, Нащекин А.В.1, Брунков П.Н.1, Жмерик В.Н.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: semenov@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.

Исследованы особенности роста наноколонн GaN на профилированных подложках c-сапфира с регулярным массивом микроконусов, имеющих различные плотность и диаметр основания в диапазонах (1-5)·107 см-2 и 2.5-3.5 мкм соответственно. Изучена кинетика и определены режимы селективного роста одиночных наноколонн GaN с диаметром 30-100 нм на вершинах микроконусов при радикально меньших скоростях роста на их боковых гранях. Исследовано влияние геометрии микроконусов, температуры подложки, шероховатости исходной поверхности и присутствия индия в качестве сурфактанта на степень селективности роста.