Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках c-сапфира различной геометрии

DOI: 10.21883/FTP.2018.13.46884.8894

Переводная версия: 10.1134/S1063782618130158

Семенов А.Н.¹, Нечаев Д.В.¹, Трошков С.И.¹, Нащекин А.В.¹, Брунков П.Н.¹, Жмерик В.Н.¹, Иванов С.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: semenov@beam.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 17 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы особенности роста наноколонн GaN на профилированных подложках c-сапфира с регулярным массивом микроконусов, имеющих различные плотность и диаметр основания в диапазонах (1-5)·10⁷ см^-2 и 2.5-3.5 мкм соответственно. Изучена кинетика и определены режимы селективного роста одиночных наноколонн GaN с диаметром 30-100 нм на вершинах микроконусов при радикально меньших скоростях роста на их боковых гранях. Исследовано влияние геометрии микроконусов, температуры подложки, шероховатости исходной поверхности и присутствия индия в качестве сурфактанта на степень селективности роста.

Yu-Chung Chena, Bo-Wen Lina, Wen-Ching Hsuc, Yew-Chung Sermon Wua. Mater. Lett., 118, 72 (2014)
T.V. Shubina, V.N. Jmerik, V.Yu. Davydov, D.R Kazanov, A.N. Smirnov, D.V. Nechaev, N. Kuznetsova, G. Pozina, C. Hemmingsson, S.V. Ivanov. Physica Status Solidi B, 253, 845 (2016)
T.V. Shubina, G. Pozina, V.N. Jmerik, V.Yu. Davydov, C. Hemmingsson, A.V. Andrianov, D.R. Kazanov, S.V. Ivanov. Sci. Rep., 5, 17970 (2015)
V.N. Jmerik, N.V. Kuznetsova, D.V. Nechaev, T.V. Shubina, D.A. Kirilenko, S.I. Troshkov, V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth, 477, 207 (2017)
K. Kishino, H. Sekiguchi, A. Kikuchi. J. Cryst. Growth, 311, 2063 (2009)
M.J. Holmes, K. Choi, S. Kako, M. Arita, Y. Arakawa. Nano Lett., 14, 982 (2014)
S. Fernandez-Garrido, J. Grandal, E. Calleja, M.A. Sanchez-Garcia, D. Lopосez-Romero. J. Appl. Phys., 106, 126102 (2009)
O. Landre, R. Songmuang, J. Renard, E. Bellet-Amalric, H. Renevier, B. Daudin. Appl. Phys. Lett., 93, 183109 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель