Электрофизические характеристики кремниевых и германиевых МДП-структур с диэлектрической пленкой SmF₃, а также их деградация в результате воздействия электрических полей хотя и подобны, но имеют ряд особенностей. Механизм токопрохождения во всех исследованных структурах описывается степенной зависимостью. Интерфейсные ловушки создают заряд электрически активных ловушек, который изменяется при вольт-емкостных измерениях, и заряд неактивных ловушек, который остается неизменным. На поверхности n-Ge этот заряд отрицательный, на поверхности кремния n- и p-типа соответствующий заряд положительный. Плотность заряда ловушек в объеме фторида самария лежала в интервале от -0.2·10^-8 до 0.6·10^-8 K/см² и в большинстве случаев была пренебрежимо мала по сравнению с зарядом интерфейсных ловушек.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.