Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения

DOI: 10.21883/FTP.2019.04.47446.9017

Переводная версия: 10.1134/S106378261904002X

Асланян А.Э.¹, Авакянц Л.П.¹, Боков П.Ю.¹, Червяков А.В.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет, кафедра общей физики), Москва, Россия Moscow State University, Faculty of Physics, General Physics Department, Moscow, Russia

Moscow State University, Faculty of Physics, General Physics Department, Moscow, Russia

Email: aslanyan.artyom@physics.msu.ru

Поступила в редакцию: 31 октября 2018 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом электроотражения проведены исследования неоднородности электрического поля в активной области светодиодной гетероструктуры на основе пяти идентичных квантовых ям GaN/InGaN. Из анализа спектров электроотражения с помощью преобразований Крамерса-Кронига определены энергии межзонных переходов в квантовых ямах и барьерах. Предложена методика оценки напряженности электрического поля в отдельных квантовых ямах активной области по положению спектральных линий. Обнаружено, что при нулевом смещении p-n-перехода энергии основного перехода в квантовых ямах активной области отличаются на величину порядка 140 мэВ, что соответствует разности напряженностей электрического поля, равной 0.78 МВ/см. Показано, что неоднородность электрического поля в активной области зависит от смещения p-n-перехода.

S. Okur, M. Nami, A.K. Rishinaramangalam, S.H. Oh, S.P. DenBaars, S. Liu, I. Brener, D.F. Feezell. Opt. Express, 25 (3), 2178 (2017)
Y. Zhao, H. Fu, G.T. Wang, S. Nakamura. Adv. Opt. Photonics, 10 (1), 246 (2018)
M. Monavarian, A. Rashidi, A.A. Aragon, S.H. Oh, A.K. Rishinaramangalam, S.P. DenBaars, D. Feezell. Appl. Phys. Lett., 112 (4), 041104 (2018)
Ф.Е. Шуберт. Светодиоды, под ред. А.Э. Юновича (М., Физматлит, 2008) с. 281. [Пер. с англ.: E.F. Shubert. Light emitting diodes (N.Y., Rensselaer Polytechnic Institute, 2006) p. 231]
H.Y. Ryu, K.S. Jeon, M.G. Kang, H.K. Yuh, Y.H. Choi, J.S. Lee. Sci. Rep., 7, 44814 (2017)
F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 56 (16), R10024 (1997)
T. Wang, D. Nakagawa, J. Wang, T. Sugahara, S. Sakai. Appl. Phys. Lett., 73 (24), 3571 (1998)
F. Zhang, M. Ikeda, S.M. Zhang, J.P. Liu, A.Q. Tian, P.Y. Wen, Y. Cheng, H. Yang. Nanoscale Res. Lett., 11, (2016)
F. Renner, P. Kiesel, G.H. Dohler. Appl. Phys. Lett., 81, 490 (2002)
Л.П Авакянц, А.Э. Асланян, П.Ю. Боков, К.Ю. Положенцев, А.В. Червяков. ФТП, 51, 198 (2017)
S.-I. Park, J.-I. Lee, D.-H. Jang, H.-S. Kim, D.-S. Shin, H.-Y. Ryu, J.-I. Shim. IEEE J. Quant. Electron., 48 (4), 500 (2012)
S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 69, 4188 (1996)
J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
Л.П. Авакянц, М.Л. Бадгутдинов, П.Ю. Боков, А.В. Червяков, С.С. Широков, А.Э. Юнович, А.А. Богданов, Е.Д. Васильева, Д.А. Николаев, А.В. Феопентов. ФТП, 41 (9), 1078 (2007)
D.E. Aspnes. Phys. Rev. B, 10, 4228 (1974)
L.P. Avakyants, A.E. Aslanyan, P.Yu. Bokov, A.V. Chervyakov, K.Yu. Polozhentsev. Sol. St. Electronics, 130, 45 (2017)
G. Blume, T.J.C. Hosea, S.J. Sweeney, P. de Mierry, D. Lancefield. IEE Proc. Optoelectron., 152 (2), 118 (2005)
А.В. Ганжа, В. Кирхер, Р.В. Кузьменко, Й. Шрайбер, Ш. Хильдебрандт. ФТП, 32 (3), 272 (1998)
K. Jeziersk, P. Markiewicz, J. Misiewicz, M. Panek, B. Sciana, T. Korbutowicz, M. T acza a. J. Appl. Phys., 77, 4139 (1995)
P.K. Basu. Theory of Optical Processes in Semiconductors: Bulk and Microstructures (Oxford, Clarendon Press, 2003) гл. 11
С.Н. Хонина, С.Г. Волотовский, С.И. Харитонов, Н.Л. Казанский. Компьютерная оптика, 36 (1), 27 (2012)
S. Nakumura, G. Fasol. The Blue Laser Diode --- GaN Based Light Emitters and Lasers (Springer, 1997)
R.R. Pela, C. Caetano, M. Marques, L.G. Ferreira, J. Furthmu ller, L.K. Teles. Appl. Phys. Lett., 98, 151907 (2011)
J. Piprek. Phys. Status Solidi A, 207 (10), 2217 (2010)
S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama. Appl. Phys. Lett., 67 (13), 1868 (1995)
W.C. Peng, Y. Chung, S. Wu. Appl. Phys. Lett., 89, 041116 (2006)
C.H. Liu, R.W. Chuan, S.J. Chan, Y.K. Su, L.W. Wu, C.C. Lin. Mater. Sci. Eng. B, 112, 10 (2004)
T.-S. Kim, B.-J. Ahn, Y. Dong, K.-N. Park, J.-G. Lee, Y. Moon, H.-K. Yuh, S.-C. Choi, J.-H. Lee, S.-K. Hong, J.-H. Song. Appl. Phys. Lett., 100, 071910 (2012)
L. Avakyants, P. Bokov, A. Chervyakov, A. Yunovich, E. Vasileva, B. Yavich. Phys. Status Solidi C, 7 (7--8), 1863 (2010)
V. Bougrov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A. Zubrilov. Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (N.Y., John Wiley \& Sons Inc., 2001)
S. Freytag, M. Feneberg, C. Berger, J. Blasing, A. Dadgar, G. Callsen, F. Nippert, A. Hoffmann, P.Yu. Bokov, R. Goldhahn. J. Appl. Phys., 120 (1), 015703 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель