Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2019, выпуск 4 » Статья стр. 485
<<<>>>
Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au-Ti-Pd-n+-n-Si
DOI: 10.21883/FTP.2019.04.47445.9012
Переводная версия: 10.1134/S1063782619040055
Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Кладько В.П.1, Сафрюк-Романенко Н.В.1, Любченко A.И.1, Шеремет В.М.1, Шинкаренко В.В. 1, Слепова А.С.2, Пилипенко В.А.3, Петлицкая Т.В.3, Пилипчук А.С.4, Конакова Р.В. 1, Саченко А.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2ГП НИИ "Орион", Киев, Украина
3ОАО "ИНТЕГРАЛ" --- управляющая компания холдинга "ИНТЕГРАЛ", Минск, Республика Беларусь
4Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: shynkarenko@isp.kiev.ua, shynkarenko@gmail.com, konakova@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 23 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.
PDF версия
Измерены экспериментально и описаны теоретически температурные зависимости удельного контактного сопротивления кремния rhoc со ступенькой легирования. Измерения проведены в диапазоне температур от 4.2 до 380 K. Установлено, что контакты исследованных структур Au-Ti-Pd-n+-n-Si являются омическими. Показано, что минимальная величина rhoc реализуется при T=75 K. Ее значение растет как при понижении температуры (вследствие эффекта вымораживания), так и при повышении температуры (из-за наличия слоя обогащения электронами на границе с объемом). Установлено, что в приконтактной области, в слое толщиной порядка микрона, происходит сильное уменьшение объемной концентрации электронов вследствие компенсации кремния глубокими акцепторами, возникающими из-за образования достаточно большой концентрации вакансий при релаксации напряжений и появления большой плотности дислокаций, а также вследствие их диффузии от контакта после прогрева до 450oC. Данные о существовании дефектов вакансионного типа подтверждены рентгеновскими измерениями. Из рентгеновских измерений оценена также плотность дислокаций в исследованных структурах.
  1. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов. (М., Мир, 1984) ч. 1
  2. S.E. Swirhun, R.M. Swanson. IEEE Electron Dev. Lett., 7 (3), 155 (1986)
  3. D.K. Schroder. Semiconductor material and device characterization. 3 edn (IEEE Press. John Wiley \& Sons, Inc., 2006)
  4. A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Sachenko, V.N. Sheremet. SPQEO, 13 (4), 436 (2010)
  5. А.В. Саченко, А.Е. Беляев, В.А. Пилипенко, Т.В. Петлицкая, В.А. Анищик, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.О. Виноградов, В.Н. Шеремет. ФТП, 48 (3), 509 (2014)
  6. У.М. Кулиш, А.П. Вяткин. Изв. вузов. Физика. 6, 157 (1965)
  7. А.Е. Беляев, В.Н. Бессолов, Н.С. Болтовец, Ю.В. Жиляев, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, А.В. Кучук, А.В. Саченко, В.Н. Шеремет. Физико-технологические проблемы нитридгаллиевой электроники (Киев, Наук. думка, 2016)
  8. Н.С. Давыдова, Ю.З. Данюшевский. Диодные генераторы и усилители СВЧ (М., Радио и связь, 1986)
  9. N.S. Boltovets, V.V. Kholevchuk, R.V. Konakova, V.F. Mitin, E.F. Venger. Sensors Actuators A: Physical, 92 (1-3), 191 (2001)
  10. В.Н. Алфеев. Полупроводники, сверхпроводники и параэлектрики в криоэлектронике: Свойства и применение в криоэлектронных интегральных схемах и приборах структур на основе контактов полупроводников, сверхпроводников и параэлектриков (М., Сов. радио, 1979)
  11. А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, О.И. Любченко, А.В. Саченко, Н.В. Сафрюк, В.В. Шинкаренко, В.А. Пилипенко, Т.В. Петлицкая, А.А. Ходин, П.Н. Романец. В кн.: Матер. VI Междунар. науч.-практ. конф. "Структурна релаксация в твердих телах" (Винница, Украiна, 2018) с. 213
  12. V.P. Klad'ko, L.I. Datsenko, J. Bak-Misiuk, S.I. Olikhovskii, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, A87 (2001)
  13. R.K. Kupka, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 69 (6), 3623 (1991)
  14. G. Brezeanu, C. Cabuz, D. Dascalu, P.A. Dan. Sol. St. Electron., 30 (5), 527 (1987)
  15. D.K. Ferry. Phys. Rev. B, 14 (4), 1605 (1976)
  16. A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ja.Ja. Kudryk, S.V. Novitski, V.N. Sheremet, J. Li, S.A. Vitusevich. J. Appl. Phys. III (8), 083701 (2012)
  17. Б.И. Болтакс, М.К. Бахадырханов, С.М. Городецкий, Г.С. Куликов. Компенсированный кремний (Л., Наука. Ленингр. отд-ние, 1972)
  18. М.С. Юнусов. Физические явления в кремнии, легированном элементами платиновой группы (Ташкент, ФАН, 1983)
  19. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями, под ред. В.И. Фистуля (М., Металлургия, 1987)
  20. В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников (М., Высш. шк., 1984)
  21. P. Смит. Полупроводники, пер. с англ. (М., Мир. 1982)
  22. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука. Ленингр. отд-ние, 1972)
  23. С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков (М., Металлургия. 1988)
  24. В.Т. Бублик, С.Ю. Мацнев, К.Д. Щербачёв, М.В. Меженный, М.Г. Мильвидский, В.Я. Резник. ФТТ, 45 (10), 1825 (2003)
  25. К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., Мир, 1984)
  26. В.С. Васильев, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
  27. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников (М., Металлургия, 1984)
  28. A. Dargys, J. Kundrotas. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP (Vilnius, Science and Encyclopedia Publishers, 1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme