Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диффузия и взаимодействие In и As, имплантированных в пленки SiO₂

DOI: 10.21883/FTP.2019.08.47989.9109

Переводная версия: 10.1134/S1063782619080190

Министерство образования и науки Российской Федераци, ГЗ, 0306-2019-0005

Тысченко И.Е.

¹, Voelskow M.², Михайлов А.Н.

³, Тетельбаум Д.И.

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Institute of Ion-Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-Center Dresden

Institute of Ion-Beam Physics and Material Research, Helmholtz-Center Dresden–Rossendorf, Dresden, Germany

³Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Email: tys@isp.nsc.ru, mian@nifti.unn.ru, tetelbaum@phys.unn.ru

Поступила в редакцию: 19 марта 2019 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами резерфордовского обратного рассеяния, электронной микроскопии и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии изучено пространственное распределение и взаимодействие атомов In и As, имплантированных с концентрациями ~1.5 ат% в термически выращенные пленки SiO₂, в зависимости от температуры последующего отжига при T=800-1100^oС в потоке паров азота. Установлено, что после отжига при T=800-900^oС происходит сегрегация атомов As на глубине средних пробегов ионов As⁺ и формирование нанокластеров As, которые являются стоками для атомов In. Увеличение температуры отжига до 1100^oС приводит к сегрегации атомов In на поверхности SiO₂ и одновременной ускоренной диффузии атомов мышьяка с коэффициентом D_As=3.2·10^-14 см²/с. Ключевые слова: In, As, оксид кремния, ионная имплантация, диффузия.

H. Ko, K. Takei, R. Kapadia, S. Chuang, H. Fang, P.W. Leu, K. Ganapathi, E. Plis, H.S. Kim, S.-Y. Chen, M. Madsen, A.C. Ford, Y.-L. Chueh, S. Krishna, S. Salahuddin, A. Javey. Nature, 468, 286 (2010)
A.C. Ford, C.W. Yeung, S. Chuang, H.S. Kim, E. Plis, S. Krishna, C. Hu, A. Javey. Appl. Phys. Lett., 98, 113105 (2011)
K. Takei, R. Kapadia, H. Fang, E. Plis, S. Krishna, A. Javey. Appl. Phys. Lett., 102, 153513 (2013)
S. Prucnal, Sh. Zhou, X. Ou, S. Facsko, M.O. Liedke, F. Bregolin, B. Liedke, J. Grebing, M. Fritzsche, R. Hubner, A. Mucklich, L. Rebohle, M. Helm, M. Turek, A. Drozdziel, W. Skorupa. J. Appl. Phys., 115, 074306 (2014)
C. Hilsum, A.C. Rose-Innes. Semiconducting III-V compounds, ed. by H.R. Henisch (Oxford-London-N.-Y.-Paris, Pergamon Press, 1961) p. 254
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987)
N.A. Viglin, V.V. Ustinov, S.O. Demokritov, A.O. Shorikov, N.G. Bebenin, V.M. Tsvelikhovskaya, T.N. Pavlov, E.I. Patrakov. Phys. Rev. B, 96, 235303 (2017)
P. Madakson, E. Ganin, J. Karasinski. J. Appl.Phys., 67, 4063 (1990)
C.W. White, J.D. Budai, J.G. Zhu, S.P. Withrow, M.J. Aziz. Appl. Phys. Lett., 68, 2389 (1996)
C.W. White, J.D. Budai, J.G. Zhu, S.P. Withrow, R.A. Zuhr, D.M. Hembree, Jr., R.H. Magruder. J. Appl. Phys., 79, 1876 (1996)
F.F. Komarov, O.V. Mil'chanin, L.A. Vlasukova, W. Wesch, A.F. Komarov, A.V. Mudryi. Bull. Rus. Acad. Sci. Phys., 74, 252 (2010)
F. Komarov, L. Vlasukova, O. Milchanin, W. Wesch, E. Wendler, J. Zuk, I. Parkhomenko. Mater. Sci. Eng. B., 178, 1169 (2013)
S. Prucnal, M. Turek, A. Drozdziel, K. Pyszniak, S.Q. Zhou, A. Kanjilal, W. Skorupa, J. Zuk. Appl. Phys. B, 101, 315 (2010)
A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 56, 2708 (1984)
A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 5220 (1985)
И.Е. Тысченко, М. Фельсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. ФТП, 48, 1228 (2014)
R.F. De Keersmaecker, D.J. Di Maria. J. Appl. Phys., 51, 1085 (1980)
T. Yamaji, F. Ichikawa. J. Appl. Phys., 64, 2365 (1988)
R. Singh, M. Maier, H. Krautle, D.R. Young, P. Balk. J. Electrochem. Soc., 131, 2645 (1984)
G.K. Celler, L.E. Trimble, K.W. West, L. Pfeiffer, T.T. Sheng. Appl. Phys. Lett., 50, 664 (1987)
J.A. Costello, R.E. Tressler. J. Electrochem. Soc., 131, 1944 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель