Вышедшие номера
Наблюдение областей отрицательной дифференциальной проводимости и генерации тока при туннелировании через нульмерные уровни дефектов барьера h-BN в гетероструктурах графен/h-BN/графен
Переводная версия: 10.1134/S1063782619080104
Государственное задание, 075-00475-19-00
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 18-02-00425
Ханин Ю.Н.1, Вдовин Е.Е.1, Мищенко А.2, Новоселов К.С.2
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Школа Физики и Астрономии, Университет Манчестера, Оксфорд-Роуд, Манчестер, M13 9PL, Великобритания
Email: khanin@iptm.ru, vdov62@yandex.ru
Поступила в редакцию: 6 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Исследовались туннелирование и магнитотуннелирование в ван-дер-ваальсовых гетеросистемах графен/ h-BN/графен, обнаружившие два новых типа систем, в которых области отрицательной дифференциальной проводимости реализуются в результате процессов резонансного туннелирования через уровни дефектов в барьере h-BN, а также происходит генерация тока, обусловленная их наличием. Ключевые слова: туннелирование, магнитотуннелирование, ван-дер-ваальсовы гетеросистемы, графен.