Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения

DOI: 10.21883/FTP.2019.08.48001.9139

Переводная версия: 10.1134/S1063782619080207

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-08-00474 А

Уваров А.В.¹, Зеленцов К.С.¹, Гудовских А.С.^1,2

¹Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: uvarov@spbau.ru

Поступила в редакцию: 11 апреля 2019 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения в различных условиях. Для структур с аморфным GaP отжиг при 550^oC приводит к резкому снижению квантовой эффективности и напряжения холостого хода, в то время как для структур на основе микрокристаллического GaP с эпитаксиальным подслоем наблюдается улучшение фотоэлектрических характеристик. Отжиг при температуре 750^oC приводит к улучшению фотоэлектрических характеристик для всех структур за счет диффузии атомов фосфора из GaP в Si и создания в подложке слоя n-типа проводимости. При увеличении температуры отжига до 900^oC происходит деградация времени жизни носителей заряда в кремниевой подложке. Показана перспективность использования метода атомно-слоевого осаждения при формировании нуклеационного слоя GaP на поверхности кремния для последующего эпитаксиального роста. Ключевые слова: фосфид галлия, кремний, гетероструктура, атомно-слоевое осаждение.

R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson, C.M. Fetzer, G.S. Kinsey, H. Yoon, R.A. Sherif, N.H. Karam. Appl. Phys. Lett., 90, 183516 (2007)
Y. Zou, C. Zhang, C. Honsberg, D. Vasileska, R. King, S. Goodnick. In: IEEE 7th World Conf. Photovolt. Energy Conversion (IEEE, 2018) p. 0279
G. Dushaq, A. Siddiqui, K. Jumaa, A. Nayfeh, M. Rasras. In: IEEE 7th World Conf. Photovolt. Energy Conversion (2018) p. 3857
E. Garci a-Tabares, I. Garcia, I. Rey-Stolle, C. Algora, D. Marti n. In: Proc. 8th Spanish Conf. Electron Devices, CDE'2011 (2011)
Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков. УФН, 178, 459 (2008)
T. Orzali, A. Vert, B. O'Brien, J.L. Herman, S. Vivekanand, R.J.W. Hill, Z. Karim, S.S. Papa Rao. J. Appl. Phys., 118, 105307 (2015)
D.A. Kudryashov, A.S. Gudovskikh, E.V. Nikitina, A.Y. Egorov. Semiconductors, 48, 381 (2014)
J.F. Geisz, J.M. Olson, D.J. Friedman, K.M. Jones, R.C. Reedy, M.J. Romero. In: Conf. Rec. Thirty-First IEEE Photovolt. Spec. Conf. (2005) p. 695
M. Sadeghi, S. Wang. J. Cryst. Growth, 227-228, 279 (2001)
S.L. Wright, H. Kroemer, M. Inada. J. Appl. Phys., 55, 2916 (1984)
J.P. Andre, J. Hallais, C. Schiller. J. Cryst. Growth, 31, 147 (1975)
L. Samuelson, P. Omling, H.G. Grimmeiss. J. Cryst. Growth, 68, 340 (1984)
J.M. Olson, M.M. Al-Jassim, A. Kibbler, K.M. Jones. J. Cryst. Growth, 77, 515 (1986)
E. Garci a-Tabares, J.A. Carlin, T.J. Grassman, D. Marti n, I. Rey-Stolle, S.A. Ringel. Prog. Photovolt. Res. Appl., 24, 634 (2016)
М.С. Соболев, А.А. Лазаренко, Е.В. Никитина, Е.В. Пирогов, А.С. Гудовских, А.Ю. Егоров. ФТП, 49, 569 (2015)
A.S. Gudovskikh, K.S. Zelentsov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, I.A. Morozov, E.V. Nikitina, J.-P. Kleider. Energy Procedia, 102, 56 (2016)
R. Varache, M. Darnon, M. Descazeaux, M. Martin, T. Baron, D. Munoz. Energy Procedia, 77, 493 (2015)
L. Ding, C. Zhang, T.U. N rland, N. Faleev, C. Honsberg, M.I. Bertoni. Energy Procedia, 92, 617 (2016)
M. Leskela, M. Ritala. Thin Sol. Films, 409, 138 (2002)
A.S. Gudovskikh, I.A. Morozov, A.V. Uvarov, D.A. Kudryashov, E.V. Nikitina, A.S. Bukatin, V.N. Nevedomskiy, J.-P. Kleider, J. Vac. Sci. Technol. A, 36, 021302 (2018)
A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, K.S. Zelentsov, A. Jaffre, S. Le Gall, A. Darga, A. Brezard-Oudot, J.-P. Kleider. Phys. Status Solidi A, 1800617 (2018)
A.V. Uvarov, A.S. Gudovskikh, D.A. Kudryashov. J. Phys. Conf. Ser., 917, 052004 (2017)
A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, E.V. Nikitina, A.A. Bukatin, K.S. Zelentsov, I.S. Mukhin, A. Levtchenko, S. Le Gall, J.-P. Kleider. J. Renew. Sustain. Energy, 10, 021001 (2018)
Е.Г. Гук, А.В. Каманин, Е.М. Шмидт, В.Б. Шуман, Т.А. Юрре. ФТП, 33, 257 (1998)
F.A. Trumbore. Bell Syst. Techn. J., 39, 205 (1960)
K. Sato, A. Castaldini, N. Fukata, A. Cavallini. Nano Lett., 12, 3012 (2012)
D. Kudryashov, A. Gudovskikh, A. Uvarov, E. Nikitina. In: AIP Conf. Proc. (AIP Publishing LLC, 2018) p. 040005

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель