Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP<Bi>/InP
Переводная версия: 10.1134/S1063782619080141 
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , The State assignment SSC RAS on 2019, 01201354240
Ministry of Education and Science of the Russian Federation, The State contract, 16.4757.2017/(8.9)
Russian Foundation for Basic Research, a, 17-08-01206
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.
Обсуждаются результаты выращивания упругонапряженных тонких эпитаксиальных слоев AlGaInAsP<Bi> на подложках фосфида индия из жидкой фазы в поле температурного градиента. Исследовано влияние висмута на структурное совершенство, люминесцентные свойства и внешний квантовый выход гетероструктур AlGaInAsP<Bi>/InP. Ключевые слова: гетероструктуры, градиент температуры, толщина жидкой зоны, период решетки, коэффициент термического расширения, кривая дифракционного отражения, упругие напряжения, дислокации, внешний квантовый выход.
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 21 (2014)
- A. Luque, I. Ramiro, P. Garcia-Linares, E. Antolin, A. Marti, A. Panchak, A. Vlasov, V. Andreev, A. Mellor. IEEE J. Photovolt., 5, 1074 (2015)
- H.Z. Song, M. Hadi, Y. Zheng, B. Shen, L. Zhang, Z. Ren, R. Gao, Z.M. Wang. Nanoscale Res. Lett., 12, 128 (2017)
- В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений АIIIBV (СКНЦ ВШ, Ростов н/Д, 2003)
- Д.Л. Алфимова, М.Л. Лунина, Л.С. Лунин, А.С. Пащенко, А.Е. Казакова. ФТТ, 60, 1277 (2018)
- Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина. Неорг. матер., 50 (2), 127 (2014)
- В.В. Кузнецов, Е.А. Когновицкая, М.Л. Лунина, Э.Р. Рубцов. Журн. физ. химии, 85 (12), 2210 (2011)
- В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, В.П. Попов. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов (М., Металлургия, 1987)
- Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, А.С. Пащенко, С.Н. Чеботарев. ФТТ, 58 (9), 1695 (2016)
- Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, А.С. Пащенко, С.Н. Чеботарев. Неор. матер., 53 (1), 33 (2017)
- А.В. Благин, Д.П. Валюхов, Л.С. Лунин, Р.В. Пигулев, И.М. Хабибулин. Неорг. матер., 44 (8), 903 (2008)
- Л.С. Лунин, Б.М. Середин, Л.М. Середин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 12, 91 (2015)
- Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, А.С. Пащенко, С.Н. Чеботарев, А.Е. Казакова, Д.А. Арустамян. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 5, 71 (2018)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
