Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин

DOI: 10.21883/FTP.2019.08.48006.9112

Переводная версия: 10.1134/S1063782619080074

Министерство науки и высшего образования России , федеральная целевая программа ” Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014−2020 годы“, № 14.578.21.0253, уникальный идентификатор RFMEFI57817X0253

Блохин С.А.

¹, Бобров М.А.

¹, Блохин А.А.

^1,2, Кузьменков А.Г.

², Малеев Н.А.

¹, Устинов В.М.

², Колодезный Е.С. ³, Рочас С.С. ³, Бабичев А.В. ³, Новиков И.И. ³, Гладышев А.Г. ³, Карачинский Л.Я. ^1,4, Денисов Д.В.^4,5, Воропаев К.O.^6,7, Ионов А.С.⁷, Егоров А.Ю. ³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

⁴ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия Connector Optics LLC, St. Petersburg, Russia

⁵Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg Electrotechnical University ”LETI“, St. Petersburg, Russia

St. Petersburg Electrotechnical University ”LETI“, St. Petersburg, Russia

⁶Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия Yaroslav-the-Wise Novgorod State University, Veliky Novgorod, Russia

Yaroslav-the-Wise Novgorod State University, Veliky Novgorod, Russia

⁷АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия OAO OKB-Planeta, Veliky Novgorod, Russia

Email: blokh@mail.ioffe.ru, bobrov.mikh@gmail.com, bloalex91@yandex.ru, Kuzmenkov@mail.ioffe.ru, Maleev@beam.ioffe.ru, vmust.beam@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 25 марта 2019 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования динамических характеристик одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, полученных методом спекания пластин высокодобротных брэгговских отражателей и активной области на основе тонких сильнонапряженных InGaAs/InAlGaAs квантовых ям. Обнаружено, что предложенные конструкции активной области и оптического микрорезонатора лазера принципиально обеспечивают возможность достижения высокого уровня дифференциального усиления лазера в диапазоне температур 20-85^oC, однако слабая локализация электронов ведет к росту компрессии усиления при повышенных температурах. В результате при температуре 20^oC частота эффективной модуляции вертикально-излучающих лазеров за счет повышения потерь на вывод излучения может быть увеличена с 9.2 до 11.5 ГГц, тогда как при температуре 85^oC частота эффективной модуляции не превышает 8.5 ГГц, слабо зависит от потерь на вывод излучения и в основном лимитирована насыщением оптического усиления. Ключевые слова: вертикально-излучающий лазер, спекание пластин, частота модуляции, время жизни фотонов в резонаторе.

D. Bimberg, A. Larsson, A. Joel. Comp. Semicond., 20 (7), 34 (2014)
M.-R. Park, O.-K. Kwon, W.-S. Han, K.-H. Lee, S.-J. Park, B.-S. Yoo. IEEE Photon. Technol. Lett., 18 (16), 1717 (2006)
W. Hofmann. IEEE Photon. J., 2 (5), 802 (2010)
S. Spiga, W. Soenen, A. Andrejew, D. Schoke, X. Yin, J. Bauwelinck, G. Boehm, M.C. Amann. IEEE J. Lightwave Technol., 35 (4), 727 (2017)
A. Syrbu, A. Mircea, A. Mereuta, A. Caliman, C.-A. Berseth, G. Suruceanu, V. Iakovlev, M. Achtenhagen, A. Rudra, E. Kapon. IEEE Photon. Technol. Lett., 16 (5), 1230 (2004)
D. Ellafi, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Suruceanu, Z. Mickovic, A. Caliman, A. Mereuta, E. Kapon. Opt. Express, 22 (26), 32180 (2014)
A.V. Babichev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.G. Gladyshev, S.A. Blokhin, S. Mikhailov, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Stepniak, L. Chorchos, J.P. Turkiewicz, K.O. Voropaev, A.S. Ionov, M. Agustin, N.N. Ledentsov, A.Yu. Egorov. IEEE J. Quant. Electron., 53 (6), 2400808 (2017)
А.В. Бабичев, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, А.Г. Гладышев, С.А. Блохин, S. Mikhailov, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Stepniak, L. Chorchos, J.P. Turkiewicz, К.O. Воропаев, А.С. Ионов, M. Agustin, N.N. Ledentsov, А.Ю. Егоров. Письма ЖТФ, 44 (1), 59 (2018)
P. Westbergh, J.S. Gustavsson, B. Kogel, A. Hanglund, A. Larsson. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 17 (6), 1603 (2011)
С.А. Блохин, Н.А. Малеев, М.А. Бобров, А.Г. Кузьменков, А.В. Сахаров, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 44 (1), 7 (2018)
С.А. Блохин, М.А. Бобров, А.А. Блохин, А.Г. Кузьменков, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, Е.С. Колодезный, С.С. Рочас, А.В. Бабичев, И.И. Новиков, А.Г. Гладышев, Л.Я. Карачинский, Д.В. Денисов, К.O. Воропаев, А.С. Ионов, А.Ю. Егоров. Опт. и спектр., 127 (1), 145 (2019)
L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (N. Y., Wiley, 1995)
D. Ellafi, V. Iakovlev, A. Sirbu, S. Grigore, Z. Mickovic, A. Caliman, A. Mereuta, E. Kapon. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 21 (6), 1700509 (2015)
S. Spiga, D. Schoke, A. Andrejew, G. Boehm, M.-C. Amann. IEEE J. Lightwave Technol., 35 (15), 3130 (2017)
A. Grabmaier, G. Fuchs, A. Hangleiter, R.W. Glew, P.D. Greene, J.E.A. Whiteaway. J. Appl. Phys., 70 (4), 2467 (1991)
M. Willatzen, T. Takahashi, Y. Arakawa. IEEE Photon. Technol. Lett., 4 (7), 682 (1992)
A. Grabmaier, A. Hangleiter, G. Fuchs, J.E.A. Whiteaway, R.W. Glew. Appl. Phys. Lett., 59 (23), 3024 (1991)
A. Hangleiter, A. Grabmaier, G. Fuchs. IEEE Trans. Electron Dev., 40 (11), 2106 (1993)
C.Y. Tsai, Y.H. Lo, R.M. Spencer. Appl. Phys. Lett., 67 (21), 3084 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель