Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства
Переводная версия: 10.1134/S1063782619080189
Министерства образования и науки РФ , RFMEFI62117X0018
Сорокин С.В. 1, Авдиенко П.С.1, Седова И.В.1, Кириленко Д.А.1, Яговкина М.А.1, Смирнов А.Н.1, Давыдов В.Ю.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sorokin@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Представлены результаты исследования структурных и оптических свойств двумерных (2D) слоев GaSe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs(001) и GaAs(112) при использовании источника Se с высокотемпературным разложителем и клапаном. Определено влияние параметров роста (температуры подложки, интенсивности потока атомов Ga, отношения падающих потоков Se/Ga) на морфологию поверхности выращенных слоев. С помощью методов просвечивающей электронной микроскопии, электронной дифракции и спектроскопии комбинационного рассеяния света показано, что слои GaSe соответствуют политипу γ-GaSe. Методом рентгеновской дифрактометрии установлено наличие включений фазы alpha-Ga2Se3 в слоях GaSe, выращенных в условиях сильного обогащения поверхности роста селеном. Ключевые слова: GaSe, слоистые полупроводники, молекулярно-пучковая эпитаксия, структурные свойства.