Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Подавление электронно-дырочного обменного взаимодействия в резервуаре неизлучающих экситонов
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090239 
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия 
Email: i.ignatiev@spbu.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.
Выполнен теоретический анализ механизмов подавления электронно-дырочного обменного взаимодействия в неизлучающих экситонах с большим волновым вектором в высококачественных гетероструктурах с квантовыми ямами. Показано, что основным механизмом подавления является рассеяние экситонов с взаимным переворотом спинов носителей одного знака (либо двух электронов, либо двух дырок), входящих в экситоны. В результате этого спиновая поляризация электронов в неизлучающих экситонах может сохраняться длительное время. Анализ экспериментальных результатов показывает, что это время может быть больше одной наносекунды. Столь длительная и оптически контролируемая спиновая память в экситонном резервуаре может представлять интерес для будущих информационных технологий. Ключевые слова: экситон, обменное взаимодействие, квантовая яма.
- A.V. Trifonov, S.N. Korotan, A.S. Kurdyubov, I.Ya. Gerlovin, I.V. Ignatiev, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.V. Petrov, Yu.K. Dolgikh, V.V. Ovsyankin, A.V. Kavokin. Phys. Rev. B, 91, 115307 (2015)
- A.V. Trifonov, E.S. Khramtsov, K.V. Kavokin, I.V. Ignatiev, A.V. Kavokin, Y.P. Efimov, S.A. Eliseev, P.Yu. Shapochkin, M. Bayer. Nanosecond Spin Coherence Time of Nonradiative Excitons in GaAs/AlGaAs Quantum Wells. Phys. Rev. Lett., 122, 147401 (2019)
- E.L. Ivchenko. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures (Springer, Berlin, 2004)
- E.S. Khramtsov, P.A. Belov, P.S. Grigoryev, I.V. Ignatiev, S.Yu. Verbin, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, V.V. Petrov, S.L. Yakovlev. J. Appl. Phys., 119, 184301 (2016)
- P.S. Grigoryev, A.S. Kurdyubov, M.S. Kuznetsova, I.V. Ignatiev, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.V. Petrov, V.A. Lovt`cius, P.Yu. Shapochkin. Superlat. Microstr., 97, 452 (2016)
- E.S. Khramtsov, P.S. Grigoryev, D.K. Loginov, I.V. Ignatiev, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, P.Yu. Shapochkin, E.L. Ivchenko, M. Bayer. Phys. Rev. B, 99, 035431 (2019)
- I.A. Yugova, A. Greilich, D.R. Yakovlev, A.A. Kiselev, M. Bayer, V.V. Petrov, Yu.K. Dolgikh, D. Reuter, A.D. Wieck. Phys. Rev. B, 75, 245302 (2007)
- M. Dyakonov, X. Marie, T. Amand, P.Le Jeune, D. Robart, M. Brousseau, J. Barrau. Phys. Rev. B, 56, 10412 (1997).
- R.T. Harley, A. Balocchi, T. Amand. Spin Dynamics of Free Carriers in Quantum Wells. In: Spin Physics in Semiconductors, ed. by M.I. Dyakonov (Springer 2017, 2nd edn, Chap. 2, p. 59)
- А. Абрагам. Ядерный магнетизм (М., Изд-во. Иностр. лит., 1963). [A. Abragam. The Principle of Nuclear Magnetism, Oxford Clarendon Press, 1961]
- M.I. Dyakonov. Basic of Semiconductors and Spin Physics. In: Spin Physics in Semiconductors, ed. by M.I. Dyakonov (Springer 2017, 2nd edn, Chap. 1, p. 21)
- I.Ya. Gerlovin, Yu.K. Dolgikh, S.A. Eliseev, V.V. Ovsyankin, Yu.P. Efimov, V.V. Petrov, I.V. Ignatiev, I.E. Kozin, Y. Masumoto. Phys. Rev. B, 65, 035317 (2001).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
