Вышедшие номера
Сравнение особенностей транспорта электронов и субтетрагерцовой генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090124
Оболенская Е.С.1, Иванов А.С.1, Павельев Д.Г.1, Козлов В.А.1,2, Васильев А.П.3,4
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bess009@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Проведено сравнение особенностей транспорта электронов в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных подобных сверхрешеток GaAs/AlAs, при этом количество периодов и площадь диодов были различными. Сопоставлены значения паразитных сопротивлений приконтактных областей диодов, и определена величина удельного падения напряжения на одном периоде сверхрешетки для всех особых точек на вольт-амперных характеристиках диодов. Исследован механизм возникновения стабильных колебаний тока в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs с высоким уровнем легирования. Ключевые слова: сверхрешетки, транспорт электронов, диоды, ТГЦ генерация.