Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) n-типа проводимости
Российский научный фонд, 18-72-10061
Прохоров Д.С.
1, Шенгуров В.Г.
1, Денисов С.А.
1, Филатов Д.О.
1, Здоровейщев А.В.
1, Чалков В.Ю.
1, Зайцев А.В.
1, Ведь М.В.
1, Дорохин М.В.
1, Байдакова Н.А.
21Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: dprokhrov95@mail.ru, shengurov@phys.unn.ru, denisov@nifti.unn.ru, dmitry_filatov@inbox.ru, dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.
Исследованы спектры фотолюминесценции эпитаксиальных структур n^+-Ge : P/Si(001), выращенных методом горячей проволоки и легированных фосфором из источника на базе термически разлагаемого GaP до максимальной концентрации электронов 1·1020 см-3. Изучено влияние на спектры фотолюминесценции уровня легирования слоев n^+-Ge : P, а также быстрого термического отжига. Продемонстрирована перспективность использования эпитаксиальных слоев n^+-Ge : P/Si(001), выращенных методом горячей проволоки, в качестве активных областей светоизлучающих оптоэлектронных приборов ближнего инфракрасного диапазона. Ключевые слова: эпитаксиальные слои германия на кремнии, метод горячей проволоки, легирование, фотолюминесценция.
- J. Liu, X. Sun, D. Pan, X. Wang, L.C. Kimerling, T.L. Koch, J. Michel. Opt. Express, 15, 11272 (2007)
- S.-L. Cheng, J. Lu, G. Shambat, H.-Y. Yu, K. Saraswat, J. Vuckovic, Y. Nishi. Opt. Express, 17, 10019 (2009)
- J. Liu, X. Sun, R. Camacho-Aguilera, L.C. Kimerling, J. Michel. Optics Lett., 35, 679 (2010)
- C. Mukherjee, H. Seitz, B. Schroeder. Appl. Phys. Lett., 78, 3457 (2001)
- В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, Н.А. Алябина, Д.В. Гусейнов, В.Н. Трушин, А.П. Горшков, Н.С. Волкова, М.М. Иванова, А.В. Круглов, Д.О. Филатов. ФТП, 49, 1411 (2015)
- Д.С. Прохоров, С.А. Денисов, В.Ю. Чалков, В.В. Постников, А.В. Кудрин, М.М. Иванова, В.В. Сдобняков, В.Н. Трушин, Ю.Н. Бузынин, В.Г. Шенгуров. Матер. ХXII Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, Россия, 2018) т. 2, c. 741
- В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, С.П. Светлов, Д.В. Шенгуров. Вакуумная техника и технология, 21, 45 (2011)
- S.A. Matveev, S.A. Denisov, D.V. Guseinov, V.N. Trushin, A.V. Nezhdanov, D.O. Filatov, V.G. Shengurov. J. Phys.: Conf. Ser., 541, 012026 (2014)
- NSM Archive --- Physical Properties of Semiconductors. http://matprop.ru/Ge\_bandstr
- L. Jiang, J.D. Gallagher, C.L. Senaratne. Semicond. Sci. Technol., 29, 115028 (2014)
- С.И. Новикова. Тепловое расширение твердых тел (М., Наука, 1974)
- Y. Ishikawa, K. Wada, D. D. Cannon, J. Liu, H.-C. Luan, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 82, 2044 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
