Вышедшие номера
Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) n-типа проводимости
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090161
Российский научный фонд, 18-72-10061
Прохоров Д.С.1, Шенгуров В.Г. 1, Денисов С.А. 1, Филатов Д.О. 1, Здоровейщев А.В.1, Чалков В.Ю. 1, Зайцев А.В.1, Ведь М.В.1, Дорохин М.В.1, Байдакова Н.А.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: dprokhrov95@mail.ru, shengurov@phys.unn.ru, denisov@nifti.unn.ru, dmitry_filatov@inbox.ru, dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции эпитаксиальных структур n^+-Ge : P/Si(001), выращенных методом горячей проволоки и легированных фосфором из источника на базе термически разлагаемого GaP до максимальной концентрации электронов 1·1020 см-3. Изучено влияние на спектры фотолюминесценции уровня легирования слоев n^+-Ge : P, а также быстрого термического отжига. Продемонстрирована перспективность использования эпитаксиальных слоев n^+-Ge : P/Si(001), выращенных методом горячей проволоки, в качестве активных областей светоизлучающих оптоэлектронных приборов ближнего инфракрасного диапазона. Ключевые слова: эпитаксиальные слои германия на кремнии, метод горячей проволоки, легирование, фотолюминесценция.