Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы

DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48291.37

Переводная версия: 10.1134/S1063782619100191

RFBR , 18-29-20016-mk

RFBR and the Government of Novosibirsk Region , 19-42-540002-ra

RFBR , 16-29-14031

Смагина Ж.В.¹, Зиновьев В.А.¹, Родякина Е.Е.^1,2, Фомин Б.И.¹, Степихова М.В.³, Яблонский А.Н.³, Гусев С.А.³, Новиков А.В. ³, Двуреченский А.В.^1,2

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: smagina@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены различные подходы к встраиванию самоформирующихся квантовых точек Ge(Si) в двумерные фотонные кристаллы. Первый подход включает в себя синтез на структурированной поверхности подложки упорядоченного массива квантовых точек Ge(Si), на котором затем формируется фотонный кристалл. Во втором подходе сам фотонный кристалл служит основой для упорядоченного роста квантовых точек. Показано, что в рамках второго подхода, меняя диаметр отверстий фотонного кристалла, можно реализовать два режима роста квантовых точек, при которых они формируются внутри или снаружи отверстий фотонного кристалла. Для структур с упорядоченными квантовыми точками, встроенными в фотонный кристалл, обнаружен рост интенсивности сигнала фотолюминесценции при комнатной температуре в спектральном диапазоне 0.9-1.2 эВ, который связывается с взаимодействием излучения структуры с радиационными модами фотонного кристалла. Ключевые слова: гетероструктуры, квантовые точки, фотонный кристалл, микрофотолюминесценция.

J. Liu, X. Sun, R. Camacho-Aguilera, L.C. Kimerling, J. Michel. Optics Lett., 35, 679 (2010)
R. E. Camacho-Aguilera, Y. Cai, N. Patel, J.T. Bessette, M. Romagnoli, L.C. Kimerling, J. Michel. Opt. Express, 20, 11316 (2012)
R. Koerner, M. Oehme, M. Gollhofer, M. Schmid, K. Kostecki, S. Bechler, D. Widmann, E. Kasper, J. Schulze. Opt. Express, 23, 14815 (2015)
S. Bao, D. Kim, C. Onwukaeme, S. Gupta, K. Saraswat, K.H. Lee, Y. Kim, D. Min, Y. Jung, H. Qiu, H. Wang, E.A. Fitzgerald, C.S. Tan, D. Nam. Nature Commun., 8, 1845 (2017)
A. Elbaz, M. El Kurdi, A. Aassime, S. Sauvage, X. Checoury, I. Sagnes, C. Baudot, F. Boeuf, P. Boucaud. APL Photon., 3, 106102 (2018)
S. Wirths, R. Geiger, N. von den Driesch, G. Mussler, T. Stoica, S. Mantl, Z. Ikonic, M. Luysberg, S. Chiussi, J.M. Hartmann, H. Sigg, J. Faist, D. Buca, D. Grutzmacher. Nature Photonics, 9, 88 (2015)
Q.M. Thai, N. Pauc, J. Aubin, M. Bertrand, J. Chretien, A. Chelnokov, J.M. Hartmann, V. Reboud, V. Calvo. Appl. Phys. Lett., 113, 051104 (2018)
Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.N. Lobanov, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, S.V. Obolenskiy, N.D. Zakharov, P. Werner. Semicond. Sci. Technol., 26, 014029 (2011)
P. Rauter, L. Spindlberger, F. Schaffler, Th. Fromherz, J. Freund, M. Brehm. ACS Photonics, 5, 431 (2018)
M. Grydlik, F. Hackl, H. Groiss, M. Glaser, A. Halilovic, T. Fromherz, W. Jantsch, F. Schaffler, M. Brehm. ACS Photonics, 3, 298 (2016)
V. Rutckaia, F. Heyroth, A. Novikov, M. Shaleev, M. Petrov, J. Schilling. Nano Lett., 17, 6886 (2017)
X. Xu, T. Chiba, T. Nakama, T. Maruizumi, Y. Shiraki. Appl. Phys. Express, 5, 102101 (2012)
Y. Shiraki, X. Xu, J. Xia, T. Tsuboi, T. Maruizumi. ECS Trans., 45, 235 (2012)
M.V. Stepikhova, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, M.V. Shaleev, D.E. Utkin, V.V. Rutckaia, E.V. Skorokhodov, S.M. Sergeev, D.V. Yurasov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 34, 024003 (2019)
M. Schatzl, F. Hackl, M. Glaser, P. Rauter, M. Brehm, L. Spindlberger, A. Simbula, M. Galli, T. Fromherz, F. Schaffler. ACS Photonics, 4, 665 (2017)
C. Dais, G. Mussler, H. Sigg, T. Fromherz, V. Auzelyte, H.H. Solak, D. Grutzmacher. Europhys. Lett., 84, 67017 (2008)
S. Kiravittaya, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Rep. Progr. Phys., 72, 046502 (2009)
С.А. Рудин, Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, П.Л. Новиков, А.В. Ненашев, Е.Е. Родякина, А.В. Двуреченский. ФТП, 52, 1346 (2018)
Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, Г.К. Кривякин, Е.Е. Родякина, П.А. Кучинская, Б.И. Фомин, А.Н. Яблонский, М.В. Степихова, А.В. Новиков, А.В. Двуреченский. ФТП, 52, 1028 (2018)
F. Hackl, M. Grydlik, M. Brehm, H. Groiss, F. Schaffler, Th. Fromherz, G. Bauer. Nanotechnology, 22, 165302 (2011)
M. Brehm, M. Grydlik, T. Tayagaki, G. Langer, F. Schaffler, O.G. Schmidt. Nanotechnology, 26, 225202 (2015)
G. Vastola, M. Grydlik, M. Brehm, T. Fromherz, G. Bauer, F. Boioli, L. Miglio, F. Montalenti. Phys. Rev. B, 84, 155415 (2011)
K. Hirose, Y. Liang, Y. Kurosaka, A. Watanabe, T. Sugiyama, S. Noda. Nature Photonics, 8, 406 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель