Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Двухфононная релаксация возбужденных состояний акцепторов бора в алмазе

DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48293.39

Переводная версия: 10.1134/S1063782619100051

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-02-01325-а

Бекин Н.А.

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: nbekin@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически исследуется релаксация дырок, находящихся в возбужденных состояниях акцепторов бора в алмазе, при испускании двух оптических фононов. Для описания волновой функции акцепторных состояний использовался электроноподобный гамильтониан с изотропной эффективной массой. Волновая функция основного состояния находилась методом квантового дефекта. Вероятность перехода вычислялась в адиабатическом приближении. Закон дисперсии фононов считался изотропным, а частота фононов квадратично зависящей от модуля волнового вектора, с максимальным значением omega_max, достигаемым в центре зоны Бриллюэна, и минимальным omega_min, на границе зоны Бриллюэна. Выявлена большая чувствительность вероятности перехода к характеристике дисперсии фононов omega_max-omega_min, особенно для энергии перехода E_T в интервале 2homega_min≤ E_T<homega_min +homega_max. В зависимости от энергии перехода и дисперсии фононов темп двухфононной релаксации в низкотемпературном пределе варьируется от сверхнизких значений (<10⁸ с^-1) вблизи порога E_T=2homega_min до сверхвысоких значений (>10¹² с^-1) в "резонансной" области homega_min+homega_max≤ E_T≤2homega_max. Ключевые слова: глубокие примеси, многофононная релаксация, алмаз, акцепторы бора в алмазе.

C.J.H. Wort, R.S. Balmer. Materials Today, 11 (1-2), 22 (2008)
I. Aharonovich, E. Neu. Adv. Optical Mater., 2, 911 (2014)
I. Akimoto, N. Naka, N. Tokuda. Diamond. Relat. Mater., 63, 38 (2016)
T. Popelav r, F. Trojanek, M. Kozak, P. Maly. Diamond. Relat. Mater., 71, 13 (2017)
D.J. Moss, J.F. Young, H.M. Van Driel, L.A. Vermeulen. Physica B+C, 116, 177 (1983)
Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова, Н.А. Хвальковский. ЖЭТФ, 112, 221 (1997)
S.G. Pavlov, S.A. Tarelkin, V.S. Bormashov, N. Stavrias, K. Saeedi, A.F.G. van der Meer, N.A. Bekin, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin, M.S. Kuznetsov, S.A. Terentiev, S.A. Nosukhin, D.D. Prikhodko, V.D. Blank, M. Wienold, H.-W. Hubers. Diamond. Relat. Mater., 92, 259 (2019)
A.T. Collins, E.C. Lightowlers. Phys. Rev., 183, 725 (1969)
G. Davies, R. Stedman. J. Phys. C: Solid State Phys., 20, 2119 (1987)
A.T. Collins, P.J. Dean, E.C. Lightowlers, W.F. Sherman. Phys. Rev., 140, A1272 (1965)
Н.А. Бекин. ФТП, 52, 1390 (2018)
K. Huang, A. Rhys. Proc. Royal. Soc. A, 204, 406 (1950)
С.И. Пекар. ЖЭТФ, 20, 510 (1950)
B.K. Ridley. J. Phys. C: Solid State Phys., 11, 2323 (1978)
R. Kubo, Y. Toyozawa. Progr. Theor. Phys., 13 (2), 160 (1955)
Ю.Е. Перлин. УФН, 80, 553 (1963)
В.А. Коварский, Н.Ф. Перельман, И.Ш. Авербух. Многоквантовые процессы (М., Энергоатомиздат, 1985)
B.K. Ridley. Solid State Electron., 21, 1319 (1978)
J. Walker. Rep. Progr. Phys., 42, 1605 (1979)
L. Reggiani, S. Bosi, C. Canali, F. Nava, S.F. Kozlov. Phys. Rev. B, 23, 3050 (1981)
В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
Макс Борн, Хуан Кунь. Динамическая теория кристаллических решеток (М., Изд-во иностр. лит., 1958) [Пер. с англ.: Max Born, Kun Huang. Dynamical Theory of Crystal Lattices (Oxford, Clarendon Press, 1954)]
Semiconductors --- Basic Data, 2nd edn., ed. by O. Madelung (Springer, Berlin, 1996)
A.M. Stoneham. Rep. Progr. Phys., 44, 1251 (1981)
Huang Kun. Scientia Sinica, 24, 27 (1981)
E. Gutsche. Phys. Status Solidi B, 109, 583 (1982)
E. Anastassakis. Phys. Rev., 186, 760 (1969)
А.М. Стоунхэм. Теория дефектов в твeрдых телах (М., Мир, 1978) т. 1 [Пер. с англ.: A.M. Stoneham, Theory of Defects in Solids: Electronic Structure of Defects in Insulators and Semiconductors (Clarendon Press, Oxford, 1975)]
Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
С.И. Пекар. УФН, 50, 197 (1953).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель