Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора

DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48294.40

Переводная версия: 10.1134/S106378261910004X

Российский научный фонд, 17-19-01580

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-02-00565

Минобрнауки России, государственное задание, 0030-2019-0021-C-01

Архипова Е.А.¹, Демидов Е.В.¹, Дроздов М.Н.¹, Краев С.А.¹, Шашкин В.И.¹, Лобаев М.А.², Вихарев А.Л.², Горбачев А.М.², Радищев Д.Б.², Исаев В.А.², Богданов С.А.²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: suroveginaka@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследуются различные варианты формирования омических контактов к легированным бором delta-слоям, созданным в эпитаксиальных структурах CVD-алмаза. В первом варианте на поверхности алмаза формировался дополнительный тонкий сильно легированный слой, к которому и формировался омический контакт. Затем поверхностный p⁺-слой между контактными площадками стравливался, поэтому протекание тока в структуре происходило только по заглубленному delta-слою. Во втором случае проводился селективный рост сильно легированного алмаза в контактных окнах под маской металла после предварительного травления нелегированного слоя алмаза (cap) до delta-слоя. При этом сильно легированный p⁺-слой будет образовывать торцевой контакт к delta-слою. Эти два варианта отличаются условиями применимости, трудоемкостью технологии изготовления, величиной контактного сопротивления и могут быть использованы для решения задач, в которых требуется различное качество контактов, таких как формирование транзисторных структур или тестовых ячеек для измерения электрофизических характеристик. Ключевые слова: алмаз, delta-слои, омические контакты, бор.

G. Chicot, A. Fiori, P. Volpe, T. Tran Thi, J. Gerbedoen, J. Bousquet, M. Alegre, J. Pinero, D. Araujo, F. Jomard, A. Soltani, J. De Jaeger, J. Morse, J. Hartwig, N. Tranchant, C. Mer-Calfati, J. Arnault, J. Delahaye, T. Grenet, D. Eon, F. Omne`s, J. Pernot, E. Bustarret. J. Appl. Phys., 116, 083702 (2014)
N. Donato, D. Pagnano, E. Napoli, G. Longobardi, F. Udrea. Diamond Relat. Mater., 78, 73 (2017)
A. Fiori, F. Jomard, T. Teraji, S. Koizumi, J. Isoya, E. Gheeraert, E. Bustarret. Appl. Phys. Express, 6, 045801 (2013)
A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, A.B. Muchnikov, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, J.E. Butler. Phys. Status Solidi RRL, 10, 324 (2016)
J.E. Butler, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, A.B. Muchnikov, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, E.V. Demidov, E.А. Surovegina, V.I. Shashkin, A. Davidov, H. Tan, L. Meshi, A.C. Pakpour-Tabrizi, M.-L. Hicks, R.B. Jackman. Phys. Status Solidi RRL, 11, 1600329 (2017)
A. Fiori, F. Jomard, T. Teraji, G. Chicot, E. Bustarret. Thin Sol. Films, 557, 222 (2014)
C. Mer-Calfati, N. Tranchant, P.N. Volpe, F. Jomard, S. Weber, P. Bergonzo, J.C. Arnault. Mater. Lett., 115, 283 (2014)
M. Ogura, H. Kato, T. Makino, H. Okushi, S. Yamasaki. J. Cryst. Growth, 317, 60 (2011)
J.F. Prins. J. Phys. D: Appl. Phys., 22, 1562 (1989)
R. Kalish. Appl. Surf. Sci., 117/118, 558 (1997)
V. Venkatesan, D.M. Malta, K. Das, A.M. Belu. J. Appl. Phys., 74 (2), 1179 (1993)
J.C. Pinero, M.P. Villar, D. Araujo, J. Montserrat, B. Antunez, P. Godignon. Phys. Status Solidi A, 214, 1700230 (2017)
T. Tachibana, B.E. Williams, J.T. Glass. Phys. Rev. B, 45 (20), 11975 (1992)
J. Nakanishi, A. Otsuki, T. Oku, O. Ishiwata, M. Murakami. J. Appl. Phys., 76 (4), 2293 (1994)
M. Yokoba, Yasuo Koide, A. Otsuki, F. Ako, T. Oku, M. Murakami. J. Appl. Phys., 81 (10), 6815 (1997)
P.E. Viljoen, E.S. Lambers, P.H. Holloway. J. Vac. Sci. Technol. B, 12 (5), 2997 (1994)
K.L. Moazed, J.R. Zeidler, M.J. Taylor. J. Appl. Phys., 68 (5), 2246 (1990)
Y. Chen, M. Ogura, S. Yamasaki, H. Okushi. Semicond. Sci. Technol., 20, 860 (2005)
М.П. Духновский, А.К. Ратникова, Ю.Ю. Федоров. Патент РФ, RU2436189 C1, Бюл. N 34 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель