Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования

DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48301.9114

Переводная версия: 10.1134/S1063782619100166

Прасолов Н.Д. ¹, Гуткин А.А. ², Брунков П.Н. ^1,2

¹Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: ndprasolov@itmo.ru, agut@defect.ioffe.ru, brunkov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 25 марта 2019 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

C использованием метода молекулярной динамики проведено моделирование в диапазоне температур от 1 до 15 K процесса наноиндентирования на глубину до 1 нм поверхностей (001) GaAs, терминированных As. Показано, что при этом происходит реконструкция поверхности с образованием устойчивых димеров As (1x2), которые не исчезают после отвода индентора от поверхности. Ключевые слова: наноинденция, реконструкция поверхности, димеры атомов As, молекулярная динамика,

A.C. Fischer-Cripps. Naation (N.Y., Springer Verlag, 2011)
A. Tiwari, S. Natarajan. Applied Naation in Advanced Materials, 1 st edn (N.Y., John Wiley \& Sons Ltd, 2017)
P.Z. Zhu, Z. Fang. Appl. Phys. A, 108 (2), 415 (2012)
C.F. Sanz-Navarro, S.D. Kenny, R. Smith. Nanotechnology, 15 (5), 692 (2004)
R. Abram, D. Chrobak, R. Nowak. Phys. Rev. Lett., 118 (12), 095502 (2017)
D. Chrobak, K. Nordlund, R. Nowak. Phys. Rev. Lett., 98, 045502 (2007)
D. Chrobak, A. Chrobak, R. Nowak. Sol. St. Phenomena, 130, 213 (2007)
S. Plimpton. J. Comp. Phys., 117, 1 (1995)
D.A. Murdick, X.W. Zhou, H.N.G. Wadley, D. Nguyen-Manh, R. Drautz, D.G. Pettifor. Phys. Rev. B, 73 (4), 045206 (2006)
J.W. Gibbs. Elementary Principles in Statistical Mechanics (N.Y., Charles Scribner's Sons, 1902)
A. Stukowski. Modelling Simul. Mater. Sci. Eng., 18, 015012 (2010)
C.L. Kelchner, S.J. Plimpton, J.C. Hamilton. Phys. Rev. B, 58 (17), 11085 (1998)
M.R. Sadat, S. Bringuier, K. Muralidharan, G. Frantziskonis, L. Zhang. Comput. Mater. Sci., 142, 227 (2018).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель