Вышедшие номера
Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4H-SiC p-n-диодов Шоттки
Переводная версия: 10.1134/S1063782619100130
Российский научный фонд, проект № 16-12-10106
Лебедев А.А.1, Козловский В.В.2, Иванов П.А.1, Левинштейн М.Е.1, Зубов А.В.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: Shura.Lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.

Исследовано влияние облучения высоковольтных (рабочее напряжение 1700 В) интегрированных 4H-SiC p-n-диодов Шоттки электронами высокой энергии (0.9 МэВ) на характеристики ударных токов в микросекундном диапазоне длительности импульсов прямого тока. С ростом дозы Phi порог инжекции дырок монотонно повышается, а уровень модуляции базы неосновными носителями (дырками) монотонно понижается. При Phi=1.5· 1016 см-2 инжекция дырок не наблюдается вплоть до значений прямого напряжения ~30 В и плотности прямого тока j~9000 А/см2. Ключевые слова: карбид кремния, диоды Шоттки, электронное облучение, ударные токи.