Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4H-SiC p-n-диодов Шоттки
Российский научный фонд, проект № 16-12-10106
Лебедев А.А.1, Козловский В.В.2, Иванов П.А.1, Левинштейн М.Е.1, Зубов А.В.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: Shura.Lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
Исследовано влияние облучения высоковольтных (рабочее напряжение 1700 В) интегрированных 4H-SiC p-n-диодов Шоттки электронами высокой энергии (0.9 МэВ) на характеристики ударных токов в микросекундном диапазоне длительности импульсов прямого тока. С ростом дозы Phi порог инжекции дырок монотонно повышается, а уровень модуляции базы неосновными носителями (дырками) монотонно понижается. При Phi=1.5· 1016 см-2 инжекция дырок не наблюдается вплоть до значений прямого напряжения ~30 В и плотности прямого тока j~9000 А/см2. Ключевые слова: карбид кремния, диоды Шоттки, электронное облучение, ударные токи.
- B.A. Hull, J.J. Sumakeris, M.J. O'Loughlin, Q. Chang, J. Richmond et al. IEEE Trans. Electron Dev., 55, 1864 (2008)
- J. Wang, Yu Du, S. Bhattacharya, A.Q. Huang. IEEE Energy Conversion Congress and Exposition Conf. (San Jose, CA, USA, 2009) с. 488. DOI: 10.1109/ECCE.2009.5315963
- J. Baliga. IEEE Electron Dev. Lett., 8, 407 (1987)
- П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, О.Ю. Серебренникова. ФТП, 44, 653 (2010)
- A. Perez-Tomas, P. Brosselard, J. Hassan, X. Jorda et al. Semicond. Sci. Technol., 23, 125004 (2008)
- C. Buttay, C. Raynaud, H. Morel, G. Civrac, M.-L. Locatelli, F. Morel. IEEE Trans. Electron Dev., 59, 761 (2012)
- J.D. Caldwell, R.E. Stahlbush, E.A. Imhoff, K.D. Hobart, M.J. Tadjer, Q. Zhang, A. Agarwal. Appl. Phys., 106, 044504 (2009)
- J.W. Palmour, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, Q.J. Zhang. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 235103 (2015)
- H. Kaneko, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 98, 262106 (2011)
- E. Omotoso, W.E. Meyer, F.D. Auret, A.T. Paradzah, M. Diale, S.M.M. Coelho, P.J. Janse van Rensburg. Mater. Sci. Semicond. Processing, 39, 112 (2015)
- V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. Appl. Phys. Lett., 110, 083503 (2017)
- 8.614 http://www.cree.com/~/media/Files/Cree/Power/Data%20Sheets/ CPW31700S010B.pdf
- M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Editors. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc., N.Y., 2001)
- G. Pensl, F. Giobanu, T. Frank, M. Krieger, S. Reshanov, F. Shmid, M. Weidner. In: SiC Materials and Devices, M. Shur, S. Rumyantsev, M. Levinshtein (eds) (World Scientific., Singapore--New Jersey--London--Hong Kong, 2006)
- A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
- A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2004).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
