Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2019, выпуск 10 » Статья стр. 1448
<<<
Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4H-SiC p-n-диодов Шоттки
DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48306.9160
Переводная версия: 10.1134/S1063782619100130
Российский научный фонд, проект № 16-12-10106
Лебедев А.А.1, Козловский В.В.2, Иванов П.А.1, Левинштейн М.Е.1, Зубов А.В.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: Shura.Lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
PDF версия
Исследовано влияние облучения высоковольтных (рабочее напряжение 1700 В) интегрированных 4H-SiC p-n-диодов Шоттки электронами высокой энергии (0.9 МэВ) на характеристики ударных токов в микросекундном диапазоне длительности импульсов прямого тока. С ростом дозы Phi порог инжекции дырок монотонно повышается, а уровень модуляции базы неосновными носителями (дырками) монотонно понижается. При Phi=1.5· 1016 см-2 инжекция дырок не наблюдается вплоть до значений прямого напряжения ~30 В и плотности прямого тока j~9000 А/см2. Ключевые слова: карбид кремния, диоды Шоттки, электронное облучение, ударные токи.
  1. B.A. Hull, J.J. Sumakeris, M.J. O'Loughlin, Q. Chang, J. Richmond et al. IEEE Trans. Electron Dev., 55, 1864 (2008)
  2. J. Wang, Yu Du, S. Bhattacharya, A.Q. Huang. IEEE Energy Conversion Congress and Exposition Conf. (San Jose, CA, USA, 2009) с. 488. DOI: 10.1109/ECCE.2009.5315963
  3. J. Baliga. IEEE Electron Dev. Lett., 8, 407 (1987)
  4. П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, О.Ю. Серебренникова. ФТП, 44, 653 (2010)
  5. A. Perez-Tomas, P. Brosselard, J. Hassan, X. Jorda et al. Semicond. Sci. Technol., 23, 125004 (2008)
  6. C. Buttay, C. Raynaud, H. Morel, G. Civrac, M.-L. Locatelli, F. Morel. IEEE Trans. Electron Dev., 59, 761 (2012)
  7. J.D. Caldwell, R.E. Stahlbush, E.A. Imhoff, K.D. Hobart, M.J. Tadjer, Q. Zhang, A. Agarwal. Appl. Phys., 106, 044504 (2009)
  8. J.W. Palmour, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, Q.J. Zhang. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 235103 (2015)
  9. H. Kaneko, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 98, 262106 (2011)
  10. E. Omotoso, W.E. Meyer, F.D. Auret, A.T. Paradzah, M. Diale, S.M.M. Coelho, P.J. Janse van Rensburg. Mater. Sci. Semicond. Processing, 39, 112 (2015)
  11. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. Appl. Phys. Lett., 110, 083503 (2017)
  12. 8.614 http://www.cree.com/~/media/Files/Cree/Power/Data%20Sheets/ CPW31700S010B.pdf
  13. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Editors. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc., N.Y., 2001)
  14. G. Pensl, F. Giobanu, T. Frank, M. Krieger, S. Reshanov, F. Shmid, M. Weidner. In: SiC Materials and Devices, M. Shur, S. Rumyantsev, M. Levinshtein (eds) (World Scientific., Singapore--New Jersey--London--Hong Kong, 2006)
  15. A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  16. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2004).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme