Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении

DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48459.9146

Переводная версия: 10.1134/S1063782619110101

Российский научный фонд., грант 16-12-10503

Левицкий Я.В.¹, Митрофанов М.И. ¹, Вознюк Г.В.¹, Николаев Д.Н.¹, Мизеров М.Н.², Евтихиев В.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research & Engineering Center, RAS, Saint-Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research & Engineering Center, RAS, Saint-Petersburg, Russia

Email: levitskyar@gmail.com, maxi.mitrofanov@gmail.com, glebufa0@gmail.com, Dim@mail.ioffe.ru, Mizerov@mail.ioffe.ru, Evtikhiev@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 22 апреля 2019 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Ионно-лучевое травление гетероструктур AlGaAs/GaAs приводит к возникновению радиационных дефектов и, как следствие, гашению люминесценции. Отжиг при 620^oC в атмосфере As позволяет достичь практически полного восстановления квантовой эффективности люминесценции для случая радиационных дефектов, залегающих на расстоянии вплоть до 150 нм от гетерограницы. Ключевые слова: сфокусированный ионный пучок, прямая ионная литография, нанолитография, радиационные дефекты, отжиг, микрофотолюминесценция.

C. Grivas. Optoelectron. Progr. Quant. Electron., 35, 159 (2011)
M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.M. Nadtochiy, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.A, Bogdanov, Z.F. Sadrieva, A.E. Zhukov, A.A. Lipovskii, D.V. Karpov, J. Laukkanen, J. Tommila. Nanoscale Res. Lett., 9, 657 (2014)
M. Mehta, D. Reuter, A. Wieck, S. Michaelis de Vasconcellos, A. Zrenner, C. Meier, Appl. Phys. Lett., 97, 143101 (2010)
F. Vallini, D.S.L. Figueira, P.F. Jarschel, L.A.M. Barea, A.A.G. Von Zuben, N.C. Frateschi. J. Vac. Sci. Technol. B, 27, L25 (2009)
C.R. Musil, J. Melngailis, S. Etchin. J. Appl. Phys., 80, 3727 (1996)
H.H. Tan, C. Jagadish, J.S. Williams. J. Appl. Phys., 80, 2691 (1996)
U.V. Desnica. J. Appl. Phys., 71, 2591 (1992)
E. Wendler, N.A. Sobolev, A. Redondo-Cubero, K. Lorenz. Phys. Status Solidi B, 253 (11), 2099 (2016)
S. Rubanov, P.R. Munroe. Microsc. Microanal., 11, 446 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель