Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 1 » Статья стр. 9
<<<>>>
Свойства эпитаксиальных твердых растворов (AlxGa1-xAs)1-yCy, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией
Середин П.В.1, Домашевская Э.П.1, Арсентьев И.Н.2, Винокуров Д.А.2, Станкевич А.Л.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.
PDF версия
Рост эпитаксиальных твердых растворов AlxGa1-xAs : C методом МОС-гидридной эпитаксии при низких температурах приводит к образованию четверных твердых растворов (AlxGa1-xAs)1-yCy, в которых атомы углерода могут концентрироваться на дефектах кристаллической решетки эпитаксиального твердого раствора с образованием нанокластеров примеси.
  1. S.J. Pearton et al. Appl. Phys. Lett., 56, 1263 (1990)
  2. F. Ren et al. IEEE Electron. Dev. Lett., 14, 332 (1993)
  3. F. Ren et al. Sol. St. Electron., 38, 1635 (1995)
  4. K. Shiralagi, M. Walther, R. Tsui. J. Cryst. Growth. 164, 334 (1996)
  5. K.J. Linden et al. Photon. Spectra, 25, 91 (1991)
  6. D. Bursky. Electron. Design., 9, 152 (1990)
  7. T. Tsen et al. Proc. 15th Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symp., Tech. Digest. (N. Y., IEEE, 1993) p. 193
  8. Y.J. Mii, R.P.G. Karunasiri, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 53, 2050 (1998)
  9. P. Saunier et al. Proc. 10th Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symp., Tech. Digest. (N. Y., IEEE, 1988) p. 37
  10. A. Thiede et al. Proc. 20th Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symp., Techn. Digest. (N. Y., IEEE, 1998) p. 34
  11. S. Fleischer, C.D. Beling, S. Fung. J. Appl. Phys., 81 (1), 190 (1997)
  12. A. Gaber, H. Zillgen, P. Ehrhart, P. Partyka, R.S. Averback. Appl. Phys., 82, 5348 (1997)
  13. П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, И.А. Журбина. ФТП, 44 (2), 194 (2010)
  14. Handbook of Semiconductors Technology. Processing of Semiconductors, ed. by K.A. Jackson, W. Schroter. (Wiley-VCH Verlag, 2000) v. 2
  15. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, А.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surface and Interface Analysis, 8, 828 (2006)
  16. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, Вал. Е. Руднева, В.Е. Руднева, Н.Н. Гордиенко, А.В. Глотов, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (9), 1261 (2009)
  17. Yu.A. Goldberg. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (World Scientific, London, 1999) v. 2, p. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme