Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектрический метод диагностики гетероструктур InGaN/GaN c множественными квантовыми ямами
Барановский М.В.1, Глинский Г.Ф.1, Миронова М.С.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 15 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.
Исследованы зависимости фототока гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами от обратного смещения. Обнаружены характерные особенности, связанные с последовательным прохождением границы области объемного заряда через квантовые ямы исследуемой структуры. Экспериментально показано, что для каждой квантовой ямы существует область обратных смещений с отрицательной дифференциальной проводимостью, которая исчезает при увеличении энергии фотонов оптического возбуждения. Предполагается, что этот эффект обусловлен смещением края оптического поглощения в квантовой яме, которое происходит при частичной компенсации пьезоэлектрического поля в области квантовой ямы электрическим полем p-n-перехода.
- Г.Ф. Глинский. В кн.: Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы, под ред. В.В. Лучинина, Ю.М. Таирова (М., Физматлит, 2006) с. 16
- Г.Ф. Глинский. Полупроводники и полупроводниковые наноструктуры: симметрия и электронные состояния (СПб., Технолит, 2008) с. 270
- В.И. Зубков. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса (СПб., Элмор, 2007)
- V.I. Zubkov, C.M.A. Kapteyn, A.V. Solomonov, D. Bimberg. J. Phys.: Condens. Matter, 17, 2435 (2005)
- О.В. Кучерова, В.И. Зубков, Е.О. Цвелев, И.Н. Яковлев, А.В. Соломонов. Завод. лаб. Диаг. мат., 76, 24 (2010)
- О.В. Кучерова, В.И. Зубков, А.В. Соломонов, Д.В. Давыдов. ФТП, 44, 352 (2010)
- В.И. Зубков, М.А. Мельник, А.В. Соломонов. ФТП, 32, 61 (1998)
- В.И. Зубков, М.А. Мельник, А.В. Соломонов, А.Н. Пихтин, Ф. Бугге. ФТП, 33, 940 (1999)
- V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, E.O. Tsvelev, F. Bugge, M. Weyers, G. Trankle. Phys. Rev. B, 70, 075 312 (2004)
- В.И. Зубков. ФТП, 40, 1236 (2006)
- В.И. Зубков. ФТП, 41, 331 (2007)
- А.Н. Петровская, В.И. Зубков. ФТП, 43, 1368 (2009)
- Tae-Soo Kim, Byung-Jun Ahn, Yanqun Dong, Ki-Nam Park, Jin-Gyu Lee et. al.. Appl. Phys. Lett., 100, 071 910 (2012)
- М.В. Барановский, Г.Ф. Глинский. Пат. 117714 РФ, МПК H01L21/66, приоритет 09.12.2011
- М.В. Барановский, Г.Ф. Глинский. Тез. докл. 13-й Всерос. молодеж. конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (СПб., Россия, 2011) с. 34
- М.В. Барановский, Г.Ф. Глинский. Тез. докл. 12-й науч. молодеж. шк. по твердотельной электронике (СПб., Россия, 2009) с. 28.
- М.В. Барановский, Г.Ф. Глинский. Тез. докл. 11-й Всерос. молодеж. конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (СПб., Россия, 2009) с. 74.
- М.В. Барановский, Г.Ф. Глинский. Тез. докл. 12-й Всерос. молодеж. конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (СПб., Россия, 2010) с. 105.
- М.В. Барановский, Г.Ф. Глинский. Изв. СПбГЭГУ "ЛЭТИ", 4/2012, 3 (2012)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
