Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
К теории фотоэлектрического эффекта в поверхностно-варизонных полупроводниках
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 23 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.
Построена и аналитически рассмотрена корректная математическая модель межзонной фотогенерации носителей слабым оптическим излучением в поверхностно-варизонных полупроводниках при резком изменении, в том числе ступенчатом, напряженности варизонного поля в пограничной к гомогенному слою переходной области. Проанализирована зависимость степени блокировки поверхностной рекомбинации фотоносителей от параметров варизонного приповерхностного слоя. Определены условия достижения предельной эффективности фотоэлектрического отклика полупроводников на слабое оптическое излучение за счет варизонного приповерхностного слоя.
- Ж.И. Алфёров. УФН, 172 (9), 1072 (2002)
- А. Крёмер. УФН, 172 (9), 1087 (2002)
- А.М. Васильев, А.П. Ландсман. Полупроводниковые фотопреобразователи (М., Сов. радио, 1971) гл. II, разд. 4, с. 36; разд. 6, с. 46
- В.И. Ильин, С.Ф. Мусихин, А.Я. Шик. Варизонные полупроводники и гетероструктуры (СПб, Наука, 2000) гл. 1, разд. 1.1-1.4; гл. 4, разд. 4.1
- Г.В. Царенков. ФТП, 9 (2), 253 (1975)
- О.В. Константинов, Г.В. Царенков. ФТП, 10 (4), 720 (1976)
- Б.С. Соколовский. ФТП 30 (6), 1006 (1996)
- В.А. Бывалый, А.С. Волков, Ю.А. Гольдберг, А.Г. Дмитриев, Б.В. Царенков. ФТП, 13 (6), 1100 (1979)
- Б.С. Соколовский, В.И. Иванов-Омский, Г.А. Ильчук. ФТП, 39 (12), 409 (2005)
- Р.Ф. Казаринов, Г.В. Царенков. ФТП, 10 (2), 297 (1976)
- В.А. Холоднов, А.А. Другова. Письма ЖТФ, 27 (12), 42 (2001)
- И.Г. Савицкий, Б.С. Соколовский. ФТП, 31 (1), 3 (1997)
- A. Drugova, V. Kholodnov, M. Nikitin. Phys. Status. Solidi C, 2 (3), 1212 (2005)
- В.М. Осадчий, А.О. Сусляков, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий. ФТП, 33 (3), 293 (1999)
- Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982) гл. 7, разд. 7.3, с. 207; гл. 10, разд. 10.9, с. 380. [Пер. с англ. (London--N.Y.--Melburne, Cambridge University Press, 1978)]
- И. Аут, Д. Генцов, К. Герман. Фотоэлектрические явления (М., Мир, 1980) гл. 3, разд. 3.3, 3.3.3, с. 68. [Пер. с нем. (Berlin, Academie--Verlag, 1977)]
- В.А. Холоднов. ФТП, 30 (6), 1011 (1996)
- В.А. Холоднов. Письма ЖЭТФ, 67 (9--10), 655 (1998)
- В.А. Холоднов. Письма ЖТФ, 36 (20), 1 (2010)
- В.П. Пономаренко. УФН, 173 (6), 649 (2003)
- К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 40 (1), 3 (2006)
- G.V. Chekanova, A.A. Drugova, V.A. Kholodnov, M.S. Nikitin. Proc. SPIE, 7113, 1A (2008)
- А.И. Инжин, И.И. Инжин, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский, Н.Л. Баженов, В.А. Смирнов, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, Г.Ю. Сидоров. Письма ЖТФ, 35 (3), 103 (2009)
- А.М. Филачев, И.И. Таубкин, М.А. Тришеков. Современное состояние и магистральные направления развития твердотельной фотоэлектроники (М., Физматкнига, 2010) разд. 4, 4.2, c. 42
- P. Migliorato, A.M. White. Sol. St. Electron., 26 (1), 65 (1983)
- D.L. Smith. Appl. Phys. Lett., 45 (1), 83 (1984)
- Г. Корн, Т. Корн. Справочник по математике (М., Наука, 1968) гл. 21, разд. 8. с. 676. [Пер. с англ.: G. Korn, T. Korn (N.Y.--Toronto--London, Mgraw-Hill Book Company, Inc., 1961)]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
