Вышедшие номера
Суперлинейная электролюминесценция в гетероструктурах на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами
Калинина К.В.1, Михайлова М.П.1, Журтанов Б.Е.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

Исследована электролюминесценция в светодиодных изотипных и анизотипных гетероструктурах, выращенных методом жидкофазной эпитаксии, с высокими скачками потенциала в зоне проводимости Delta Ec на гетерогранице между узкозонной активной областью и широкозонным слоем. В исследуемых гетероструктурах наблюдались два пика электролюминесценции в диапазоне энергий фотонов 0.28-0.74 эВ при температурах T=300 и 77 K, для которых обнаружен суперлинейный рост интенсивности и оптической мощности излучения в 1.5-2 раза в диапазоне токов накачки 20-220 мА. Данный эффект объяснен образованием дополнительных электронно-дырочных пар вследствие ударной ионизации горячими электронами, разогретыми за счет скачка потенциала Delta Ec в зоне проводимости на гетерограницах n-AlGaAsSb/n-InGaAsSb и n-GaSb/n-InGaAsSb. Данный эффект может быть использован для повышения квантовой эффективности полупроводниковых излучателей (светодиодов, лазеров) среднего инфракрасного диапазона.