Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 1 » Статья стр. 75
<<<>>>
Суперлинейная электролюминесценция в гетероструктурах на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами
Калинина К.В.1, Михайлова М.П.1, Журтанов Б.Е.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.
PDF версия
Исследована электролюминесценция в светодиодных изотипных и анизотипных гетероструктурах, выращенных методом жидкофазной эпитаксии, с высокими скачками потенциала в зоне проводимости Delta Ec на гетерогранице между узкозонной активной областью и широкозонным слоем. В исследуемых гетероструктурах наблюдались два пика электролюминесценции в диапазоне энергий фотонов 0.28-0.74 эВ при температурах T=300 и 77 K, для которых обнаружен суперлинейный рост интенсивности и оптической мощности излучения в 1.5-2 раза в диапазоне токов накачки 20-220 мА. Данный эффект объяснен образованием дополнительных электронно-дырочных пар вследствие ударной ионизации горячими электронами, разогретыми за счет скачка потенциала Delta Ec в зоне проводимости на гетерограницах n-AlGaAsSb/n-InGaAsSb и n-GaSb/n-InGaAsSb. Данный эффект может быть использован для повышения квантовой эффективности полупроводниковых излучателей (светодиодов, лазеров) среднего инфракрасного диапазона.
  1. Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 996 (2003) [Semiconductors, 37 (8), 878 (2003)]
  2. Yu. Yakovlev, K. Moiseev, M. Mikhailova, A. Monakhov, A. Astakhova, V. Sherstnev. Proc. SPIE, 3947, 144 (2000)
  3. Yu.P. Yakovlev, I.A. Andreev, E.V. Kunitsyna, M.P. Mikhailova. Proc. SPIE, 4320, 120 (2006)
  4. M. Mikhailova, N. Stoyanov, I. Andreev, B. Zhurtanov, S. Kizhaev, E. Kunitsyna, Kh. Salikhov, Yu. Yakovlev. Proc. SPIE, 6585, 658 526 (2007)
  5. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
  6. H. Kroemer, G. Griffiths. Electron. Dev. Lett., 4, 20 (1983)
  7. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во "Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН", 1997)
  8. Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 10 (1), 327 (1992)
  9. Г.Г. Зегря, А.Д. Андреев. ЖЭТФ, 109 (2), 615 (1996)
  10. М.З. Жингарев, В.И. Корольков, М.П. Михайлова. Письма ЖТФ, 6 (6), 376 (1980)
  11. F. Capasso. In: Semiconductors and Semimetals, v. 22, pt D: Photodetectors (1982) ch. 1
  12. K. Tanabe. Electron. Lett., 43, 18 (2007),
  13. P.T. Landsberg, H. Nussbaumer. G. Willeke. J. Appl. Phys., 74, 1451 (1993)
  14. J. Tauc, A. Abraham. Czech. J. Phys., 8, 155 (1959).
  15. Н.Л. Баженов, Б.Е. Журтанов, К.Д. Мынбаев, А.П. Астахова, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, В.А. Смирнов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 33 (23), 1 (2007)
  16. A.P. Dmitriev, M.P. Mikhailova, I.N. Yassievich. Phys. Status Solidi B, 140, 9 (1987)
  17. K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, T. Simecek, J. Oswald, J. Pangrac. J. Appl. Phys., 86, 6264 (1999)
  18. М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 41 (2), 166 (2007)
  19. Б.Е. Журтанов, К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, Т.И. Воронина, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (3), 357 (1999)
  20. Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 996 (2003)
  21. Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 39 (11), 1281 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme