Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Суперлинейная электролюминесценция в гетероструктурах на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами
Калинина К.В.1, Михайлова М.П.1, Журтанов Б.Е.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 5 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.
Исследована электролюминесценция в светодиодных изотипных и анизотипных гетероструктурах, выращенных методом жидкофазной эпитаксии, с высокими скачками потенциала в зоне проводимости Delta Ec на гетерогранице между узкозонной активной областью и широкозонным слоем. В исследуемых гетероструктурах наблюдались два пика электролюминесценции в диапазоне энергий фотонов 0.28-0.74 эВ при температурах T=300 и 77 K, для которых обнаружен суперлинейный рост интенсивности и оптической мощности излучения в 1.5-2 раза в диапазоне токов накачки 20-220 мА. Данный эффект объяснен образованием дополнительных электронно-дырочных пар вследствие ударной ионизации горячими электронами, разогретыми за счет скачка потенциала Delta Ec в зоне проводимости на гетерограницах n-AlGaAsSb/n-InGaAsSb и n-GaSb/n-InGaAsSb. Данный эффект может быть использован для повышения квантовой эффективности полупроводниковых излучателей (светодиодов, лазеров) среднего инфракрасного диапазона.
- Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 996 (2003) [Semiconductors, 37 (8), 878 (2003)]
- Yu. Yakovlev, K. Moiseev, M. Mikhailova, A. Monakhov, A. Astakhova, V. Sherstnev. Proc. SPIE, 3947, 144 (2000)
- Yu.P. Yakovlev, I.A. Andreev, E.V. Kunitsyna, M.P. Mikhailova. Proc. SPIE, 4320, 120 (2006)
- M. Mikhailova, N. Stoyanov, I. Andreev, B. Zhurtanov, S. Kizhaev, E. Kunitsyna, Kh. Salikhov, Yu. Yakovlev. Proc. SPIE, 6585, 658 526 (2007)
- M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
- H. Kroemer, G. Griffiths. Electron. Dev. Lett., 4, 20 (1983)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во "Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН", 1997)
- Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 10 (1), 327 (1992)
- Г.Г. Зегря, А.Д. Андреев. ЖЭТФ, 109 (2), 615 (1996)
- М.З. Жингарев, В.И. Корольков, М.П. Михайлова. Письма ЖТФ, 6 (6), 376 (1980)
- F. Capasso. In: Semiconductors and Semimetals, v. 22, pt D: Photodetectors (1982) ch. 1
- K. Tanabe. Electron. Lett., 43, 18 (2007),
- P.T. Landsberg, H. Nussbaumer. G. Willeke. J. Appl. Phys., 74, 1451 (1993)
- J. Tauc, A. Abraham. Czech. J. Phys., 8, 155 (1959).
- Н.Л. Баженов, Б.Е. Журтанов, К.Д. Мынбаев, А.П. Астахова, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, В.А. Смирнов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 33 (23), 1 (2007)
- A.P. Dmitriev, M.P. Mikhailova, I.N. Yassievich. Phys. Status Solidi B, 140, 9 (1987)
- K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, T. Simecek, J. Oswald, J. Pangrac. J. Appl. Phys., 86, 6264 (1999)
- М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 41 (2), 166 (2007)
- Б.Е. Журтанов, К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, Т.И. Воронина, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (3), 357 (1999)
- Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 996 (2003)
- Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 39 (11), 1281 (2005).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
