Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование структуры аморфных слоев a-As2Se3<Bi>x методом диэлектрической спектроскопии
Анисимова Н.И.1, Бордовский В.А.1, Грабко Г.И.1, Кастро Р.А.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 24 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.
В аморфных слоях триселенида мышьяка с различным содержанием примеси висмута изучены процессы диэлектрической поляризации в переменных электрических полях. Интерпретация полученных экспериментальных результатов проводится в рамках модели, согласно которой при малых концентрациях атомы Bi внедряются в сетку исходной матрицы аморфной структуры как заряженные центры; дальнейшее увеличение количества легирующей добавки сопровождается появлением упорядоченных включений (кластеров) Bi2Se3 в изучаемых составах.
- А.И. Губанов. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников (М., Изд-во АН СССР, 1963)
- M.H. Cohen, H. Fritzsche, S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 22, 1065 (1969)
- E.A. Davis, N.F. Mott. Phil. Mag., 22, 903 (1970)
- M. Kastner. Phys. Rev. Lett., 26 (7), 355 (1972)
- R.A. Street, N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35 (19), 1293 (1975)
- M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett., 37 (22), 1504 (1976)
- В.В. Соболев, А.М. Широков. Электронная структура халькогенидов (М., Наука, 1988)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
- А. Фельтц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела (М., Мир, 1986)
- G.J. Adraenssens, N. Qamhieh. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 14, 605 (2003)
- B.T. Kolomiets. Phys. Status Solidi, 7, 359 (1964)
- Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина. (СПб., Наука, 1996)
- Р. Nagy. Phill. Mag. B, 48 (1), 47 (1983)
- Ю.С. Тверьянович, З.У. Борисова. Тез. Всесоюз. конф. " Стеклообразные полупроводники" (Л., 1985) с. 238
- N. Tohge, T. Minami, Y. Yamamoto, M. Tanaka. J. Appl. Phys., 51, 1048 (1980)
- K.I. Bhatia. J. Non-Cryst. Sol., 54, 173 (1983)
- M. Saiter, T. Derrey, C. Vautier. J. Non-Cryst. Sol., 77--78, 1169 (1985)
- C. Vautier. Sol. St. Phenomena, 71, 249 (2000)
- Р.А. Кастро, Г.И. Грабко. ФТП, 45 (5), 622 (2011)
- Р.А. Кастро, Г.И. Грабко, Т.В. Татуревич. Письма ЖТФ, 37 (18), 1 (2011)
- Р.А. Кастро, В.А. Бордовский, Г.И. Грабко, Т.В. Татуревич. ФТП, 45 (12), 1646 (2011)
- О.В. Мазурин. Электрические свойства стекла (Л., Ленгосхимиздат, 1962)
- A.A. Simashkevich, S.D. Shutov. Phys. Status Solidi, 84 (1), 343 (1984)
- Б.Л. Тимман. ФТП, 7 (2), 225 (1973)
- С.Н. Мустафаева, С.Д. Мамедбейли, М.М. Асадов, И.А. Мамедбейли, К.М. Ахмедли. ФТП, 30 (12), 2154 (1996)
- Н.И. Анисимова, В.А. Бордовский, Г.И. Грабко, Р.А. Кастро. ФТП, 44 (8), 1038 (2010)
- S.R. Elliot, A.T. Steel. Phys. Rev. Lett., 57, 1316 (1986)
- О.В. Мазурин, В.Б. Браиловский. Стеклообразное состояние (М., 1965) с. 277
- П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
