Проведен анализ экспериментальных результатов и модельных представлений краевой электролюминесценции двух опубликованных исследований сильно легированных бором кремниевых p⁺-n-диодов малой площади. В одном исследовании предполагалось, что краевая электролюминесценция образуется в p⁺-области, а в другом - в n-области диода. Доказано, что во втором случае действительно электролюминесценция возникала в n-области и была обусловлена в основном излучательной рекомбинацией свободных экситонов. Показано, что аналогичные модельные представления применимы и для другой работы. На основании нескольких независимых экспериментальных исследований (краевой фотолюминесценции и электролюминесценции, а также поглощения излучения свободными носителями заряда) доказано, что наблюдаемые в монокристаллическом кремнии при высоком уровне инжекции линейные или близкие к линейным зависимости интенсивности краевой люминесценции от интенсивности возбуждения обусловлены близкими к линейным зависимостями концентрации экситонов от концентрации свободных носителей заряда. Результаты работы могут позволить расширить возможности люминесцентных методов определения времен жизни носителей заряда на область высоких уровней инжекции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.