Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 1 » Статья стр. 118
<<<>>>
Особенности стационарного распределения носителей заряда и тока удержания в SiC-фототиристоре
Юферев В.С.1, Левинштейн М.Е.1, Palmour J.W.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
Поступила в редакцию: 19 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.
PDF версия
Развита численная модель, позволившая проанализировать особенности стационарного распределения носителей и характер тока удержания для осесимметричного случая, характерного для оптического включения мощных SiC-фототиристоров. Проведено сравнение плоской и осесимметричной модели. Проанализирован относительный вклад полевого и диффузионного механизмов распространения включенного состояния. Показано, что в SiC-тиристорах диффузионный механизм распространения не вносит существенного вклада в стационарное распределение носителей и основным механизмом является полевой механизм. Полученные результаты удовлетворительно согласуются с первыми экспериментальными результатами по исследованию тока удержания в SiC-фототиристорах.
  1. В.А. Кузьмин. Тиристоры малой и средней мощности (M., Сов. радио, 1971)
  2. A. Blicher Thyristor physics (Springer Verlag, 1976)
  3. М.И. Дьяконов, М.Е. Левинштейн. ФТП, 12, 729 (1978)
  4. М.И. Дьяконов, М.Е. Левинштейн. ФТП, 12, 1674 (1978)
  5. И.В. Гpехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев. ФТП 4 (11), 2149 (1970)
  6. С.Н. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. ФТП 21, 129 (1987)
  7. H.J. Ruhl, jr.IEEE Trans Electron. Dev. ED-17, 672 (1970)
  8. R.L. Longini, J. Melngailis. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-10, 178 (1963)
  9. М.И. Дьяконов, М.Е. Левинштейн. ФТП, 14, 478 (1980)
  10. M.E. Levinshtein, P.A Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Electron. Lett., 38, 592 (2002)
  11. N. Dheilly, G. Paques, S. Scharnholz, P. Bevilacqua, C. Raynaud, D. Nguyen, R.W. DeDoncker, D. Planson. Electron. Lett., 47, 459 (2011)
  12. S.L. Rumyantsev, M.E. Levinshtein, M.S. Shur, T. Saxena, Q.J. Zhang, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 27, 015 012 (4pp) (2012)
  13. S.L. Rumyantsev, M.E. Levinshtein, M.S. Shu, T. Saxena, Q.J. Zhang, A.K. Agarwal, L. Cheng, J.W. Palmour. Abstracts Eur. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), St. Petersburg, 2012
  14. A.I. Uvarov. In: Physics of Electron-Hole Junctions and Semiconductor Devices, eds S.M. Ryvkin, Yu.V. Shmartsev (N.Y.: Consultants Bureau, 1971) p. 170, 216
  15. C.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  16. J.R. Hauser. IEEE Trans. Electron. Dev., 11, 238 (1964)
  17. S.M. Sce. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley \& Sons, N.Y., (1981)
  18. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe, eds M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. (John Wiley \& Sons, N.Y.--Chichester--Weinheim--Brisbane Singapore--Toronto, 2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme