Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge-Sb-Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления

DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48895.9287

Переводная версия: 10.1134/S106378262002013X

Кастро Арата Р.А.¹, Стожаров В.М.¹, Долгинцев Д.М.¹, Кононов А.А.¹, Сайто Ю.², Фонс П.², Томинага Дж.², Анисимова Н.И.

¹, Колобов А.В.^1,2

¹Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

²Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, 30 Хигаси, Цукуба, Япония National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Higashi, Tsukuba, Japan

National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Higashi, Tsukuba, Japan

Email: recastro@herzen.spb.ru, n_anisim@mail.ru

Поступила в редакцию: 15 октября 2019 г.

Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования структуры и процессов диэлектрической релаксации в тонких слоях системы Ge-Sb-Te. Обнаруженные дисперсия диэлектрической проницаемости и существование максимумов диэлектрических потерь в области низких частот объясняются структурными особенностями аморфной фазы исследуемых соединений. Ключевые слова: структурные и диэлектрические свойства, халькогенидная система Ge-Sb-Te.

D. Cha, H. Kim, Y. Hwang, J. Jeong, J. Kim. Appl. Optics, 51 (23), 5649 (2012)
G.E. Snopatin, V.S. Shiryaev, V.G. Plotnichenko, E.M. Dianov, M.F. Churbanov. Inorganic Mater., 45 (13), 1439 (2009)
J. Charrier, M.L. Brandily, H. Lhermite, K. Michel, B. Bureau, F. Verger, V. Nazabal. Sensors Actuators B: Chem., 173, 468 (2012)
B. Zhang, W. Guo, Y. Yu, C. Zhai, S. Qi, A. Yang, L. Li, Z. Yang, R. Wang, D. Tang, G. Tao, B. Luther-Davies. J. Am. Ceramic Soc., 98 (5), 1389 (2015)
A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, J. Tominaga, T. Uruga. Nature Materials, 3, 703 (2004)
K. Shportko, S. Kremers, M. Woda, D. Lencer, J. Robertson, M. Wuttig, Nature Materials, 7, 653 (2008)
T. Siegrist, P. Jost, H. Volker, M. Woda, P. Merkelbach, C. Schlockermann, M. Wuttig. Nature Materials, 10, 202 (2011)
W. Zhang, A. Thiess, P. Zalden, R. Zeller, P.H. Dederichs, J.Y. Raty, M. Wuttig, S. Blugel, R. Mazzarello, Nature Materials, 11, 952 (2012)
S. Gabardi, S. Caravati, G.C. Sosso, J. Behler, M. Bernasconi. Phys. Rev. B, 92 054201 (2015)
S.A. Kozyukhin, K.D. Tsendin, H.P. Nguyen, V.V. Kozik. Изв. вузов. Физика, 57 (7/2), 67 (2014)
E. Prokhorov, J.J. Gervacio-Arciniega, G. Luna-Barcenas, Y. Kovalenko, F.J. Espinoza-Beltran, G. Trapaga. J. Appl. Phys., 113, 113705 (2013)
R.A. Castro, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova, G.I. Grabko. Semiconductors, 49 (3), 365 (2009)
М.И. Корсунский. Физика рентгеновых лучей (М.-Л., ОНТИ, 1936)
N.I. Anisimova, V.A. Bordovsky, G.I. Grabko, R.A. Castro. Semiconductors, 44 (8), 1004 (2010)
K. Kremer, A. Schonhals. Broadband dielectric spectroscopy (Springer, Berlin--Heidelberg, 2003)
J. Akola, R.O. Jones. Phys. Rev. B, 76, 235201 (2007)
S. Caravati, M. Bernasconi, T.D. Kuhne, M. Krack, M. Parrinello. Appl. Phys. Lett., 91, 171906 (2007)
M. Krbal, A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, S.R. Elliott, J. Hegedus, T. Uruga. Phys. Rev. B, 83, 054203 (2011)
J. Tominaga, T. Shima, M. Kuwahara, T. Fukaya, A. Kolobov, T. Nakano. Nanotechnology, 15, 411 (2004)
A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, S.N. Yannopoulos, K.S. Andrikopoulos, T. Uruga. Jpn. J. Appl. Phys., 44, 3345 (2005)
J. Hegedus, S.R. Elliott. Nature Materials, 7, 399 (2008)
R. Ruiz Santos, E. Prokhorov, J. Gonzalez-Hernandez, G. Luna-Barcenas, Yu. Kovalenko. J. Non-Cryst. Sol., 356, 2541 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель