Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование)
Переводная версия: 10.1134/S1063782620020190 
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: nataly.shwartz@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.
С помощью кинетической решеточной модели Монте-Карло проанализирован самокаталитический рост планарных GaAs нанопроволок. Рост нанопроволок по механизму пар-жидкость-кристалл рассматривался для подложек GaAs с ориентациями (111)А и (111)В. Исследовалось влияние температуры и расположения капель галлия на морфологию и направление роста планарных GaAs нанопроволок. Выявлен диапазон температур, в котором наблюдался стабильный рост планарных GaAs-нанопроволок на поверхности GaAs(111)А. Выбранное асимметричное расположение капель позволяет получать однонаправленный рост нанопроволок. Ключевые слова: GaAs, планарные нанопроволоки, моделирование, Монте-Карло.
- P. Krogstrup, H.I. J rgensen, E. Johnson, M.H. Madsen, C.B. S rensen, A.F. i Morral, M. Aagesen, J. Nygard, F. Glas. J. Phys. D: Appl. Phys., 46 (31), 313001 (2013)
- S.A. Fortuna, J. Wen, I.S. Chun, X. Li. Nano Lett., 8 (12), 4421 (2008)
- Y. Chen, P. Kivisaari, M.-E. Pistol, N. Anttu. Nanotechnology, 29 (4), 045401 (2018)
- W. Choi, E. Seabron, P.K. Mohseni, J.D. Kim, T. Gokus, A. Cernescu, P. Pochet, H.T. Johnson, W.L. Wilson, X. Li. ACS Nano, 11 (2), 1530 (2017)
- F. Bastiman, H. Kupers, C. Somaschini, L. Geelhaar. Nanotechnology, 27 (9), 095601 (2016)
- S. Breuer, C. Pfuller, T. Flissikowski, O. Brandt, H.T. Grahn, L. Geelhaar, H. Riechert. Nano Lett., 11 (3), 1276 (2011)
- S. Ambrosini, M. Fanetti, V. Grillo, A. Franciosi, S. Rubini. AIP Advances, 1, 042142 (2011)
- K. Sano, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito. J. Cryst. Growth, 301-302, 862 (2007)
- Z. Dong, P. Kashkarov, H. Zhang. Nanoscale, 2, 524 (2010)
- K.K. Sabelfeld, V.M. Kaganer, F. Limbach, P. Dogan, O. Brandt, L. Geelhaar, H. Riechert. Appl. Phys. Lett., 103, 133105 (2013)
- A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Pure Appl. Chem., 84 (12), 2619 (2012)
- М.В. Князева, А.Г. Настовьяк, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц. ФТП, 49 (1), 63 (2015)
- A.G. Suprunets, M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz. J. Phys.: Conf. Ser., 690, 012011 (2016)
- А.Н. Карпов, А.В. Зверев, А.Г. Настовьяк, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Вычисл. методы и программирование, 15 (3), 388 (2014)
- A.A. Spirina, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Def. Diff. Forum, 386, 21 (2018)
- A.A. Spirina, N.L. Shwartz. Mater. Sci. Semicond. Process., 100, 319 (2019)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
