Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Кинетика отжига борсодержащих центров в кремнии, облученном электронами

Феклисова О.В.¹, Ярыкин Н.А.¹, Weber J.²

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

²Technische Universitat Dresden, Dresden, Germany Technische Universität Dresden, Dresden, Germany

Поступила в редакцию: 17 июля 2012 г.

Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Кинетика отжига пар B_iO_i, созданных облучением быстрыми электронами, изучается в пластинах кремния, выращенных методом Чохральского, с разным уровнем легирования бором. Обнаружено, что скорость отжига при фиксированной температуре монотонно увеличивается с ростом концентрации бора. Результаты описываются простой моделью, которая принимает во внимание взаимодействие межузельного бора с атомами кислорода и узельного бора. На основе этой модели вычислена температурная зависимость скорости диссоциации комплекса B_iO_i.

M. Yamaguchi, A. Khan, S.J. Taylor, K. Ando, T. Yamaguchi, S. Matsuda, T. Aburaya. J. Appl. Phys., 86, 217 (1999)
A. Khan, M. Yamaguchi, Y. Ohshita, N. Dharmarasu, K. Araki, T. Abe, H. Itoh, T. Ohshima, M. Imaizumi, S. Matsuda. J. Appl. Phys., 90, 1170 (2001)
P.M. Mooney, L.J. Cheng, M. Suli, J.D. Gerson, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 15, 3836 (1977)
L.C. Kimerling, M.T. Asom, J.L. Benton, P.J. Drevinsky, C.E. Caefer. Mater. Sci. Forum, 38-41, 141 (1989)
J.R. Troxell, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 22, 921 (1980)
J. Adey, R. Jones, P.R. Briddon. Appl. Phys. Lett., 83, 665 (2003)
A. Carvalho, R. Jones, M. Sanati, S.K. Estreicher, J. Coutinho, P.R. Briddon. Phys. Rev. B, 73, 245 210 (2006)
L. Vines, E.V. Monakhov, A.Y. Kuznetsov, R. Kozlowski, P. Kaminski, B.G. Svensson. Phys. Rev. B, 78, 085 205 (2008)
S. Zhao, A. Agarwal, J.L. Benton, G.H. Gilmer, L.C. Kimerling. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 442, 231 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель