Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN

DOI: 10.21883/FTP.2020.03.49022.9295

Переводная версия: 10.1134/S1063782620030148

Russian Foundation for Basic Research, № 19-02-00649

Мохов Е.Н.¹, Рабчинский M.К.¹, Нагалюк С.С.¹, Гафуров М.Р.², Казарова О.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань, Россия Kazan Federal University, Kazan, Russia

Email: Mokhov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 23 октября 2019 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние высокотемпературной (T=1880^oC) диффузии ионов бериллия на свойства монокристаллического нитрида алюминия. Показано, что постростовое легирование AlN бериллием приводит к компенсации мелких донорных центров кремния, входящих в решетку AlN неконтролируемым образом в ходе роста. Установлено, что введение Be в решетку AlN приводит к снижению оптического поглощения последнего в видимом и ультрафиолетовом диапазонах. Совокупность результатов объясняется сдвигом положения уровня Ферми, вызванным введением акцепторной примеси бериллия, в сторону потолка валентной зоны AlN. Ключевые слова: AlN, примесь Ве, диффузия, оптические свойства.

J.Y. Tsao, S. Chowdhury, M.A. Hollis, D. Jena, N.M. Johnson, K.A. Jones, R.J. Kaplar, S. Rajan, C.G. Van de Walle, E. Bellotti, C.L. Chua, R. Collazo, M.E. Coltrin, J.A. Cooper, K.R. Evans, S. Graham, T.A. Grotjohn, E.R. Heller, M. Higashiwaki, M.S. Islam, P.W. Juodawlkis, M.A. Khan, A.D. Koehler, J.H. Leach, U.K. Mishra, R.J. Nemanich, R.C.N. Pilawa-Podgurski, J.B. Shealy, Z. Sitar, M.J. Tadjer, A.F. Witulski, M. Wraback, J.A. Simmons. Adv. Electron. Mater., 4, 1600501 (2018)
T.Y. Chemekova, O.V. Avdeev, I.S. Barash, E.N. Mokhov, S.S. Nagalyuk, A.D. Roenkov, A.S. Segal, Y.N. Makarov, M.G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, H. Helava. Phys. Status Solidi C, 5, 1612 (2008)
B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A.A. Toropov, T.V. Shubina. Phys. Status Solidi B, 244, 1759 (2007)
Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto. Nature, 441, 325 (2006)
S.B. Orlinskii, J. Schmidt, P.G. Baranov, M. Bickermann, B.M. Epelbaum, A. Winnacker. Phys. Rev. Lett., 100, 256404 (2008)
X.Th. Trinh, D. Nilsson, I.G. Ivanov, E. Janzn, A. Kakanakova-Georgieva, N.T. Son. Appl. Phys. Lett., 105, 162106 (2014)
V.A. Soltamov, I.V. Ilyin, A.A. Soltamova, D.O. Tolmachev, N.G. Romanov, A.S. Gurin, V.A. Khramtsov, E.N. Mokhov, Yu.N. Makarov, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii. Appl. Magn. Reson., 44, 1139 (2013).
V.A. Soltamov, M.K. Rabchinskii, B.V. Yavkin, O.P. Kazarova, S.S. Nagalyuk, V.Y. Davydov, A.N. Smirnov, V.F. Lebedev, E.N. Mokhov, S.B. Orlinskii, P.G. Baranov. Appl. Phys. Lett., 113, 082104 (2018)
O.V. Avdeev, T.Yu. Chemekova, H. Helava, M.G. Ramm, Yu.N. Makarov, E.N. Mokhov, S.S. Nagalyuk, A.S. Segal. Growth of Bulk AlN Crystals. In: Comprehensive Semiconductor Science and Technology (2011) p. 282. DOI: 10.1016/B978-0-44-453153-7.00094-8/
Ю.П. Маслаковец, Е.Н. Мохов, Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина. ФТТ, 10, 809 (1968). [Yu.P. Maslakovets, E.N. Mokhov, Yu.A. Vodakov, G.A. Lomakina. Sov. Phys. Solid State, 10, 634(1968).]
V.A. Soltamov, I.V. Ilyin, A.A. Soltamova, D.O. Tolmachev, N.G. Romanov, A.S. Gurin, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Phys. Status Solidi C, 9, 745 (2012)
A. Sedhain, L. Du, J.H. Edgar, J.Y. Lin, H.X. Jiang'. Appl. Phys. Lett., 95, 262104 (2009)
Q. Yan, A. Janotti, M. Schefler, C.G. Van de Walle, App. Phys. Lett., 105, 111104 (2014)
B.E. Gaddy, Z. Bryan, I. Bryan, J. Xie, R. Dalmau, B. Moody, Y. Kumagai, T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, A. Koukitu, R. Kirste, Z. Sitar, R. Collazo, D.L. Irving. Appl. Phys. Lett., 104, 202106 (2014)
K. Irmscher, C. Hartmann, C. Guguschev, M. Pietsch, J. Wollweber, M. Bickermann. J. Appl. Phys., 114, 123505 (2013)
C. Hartmann, J. Wollweber, S. Sintonen, A.A. Dittmar, L. Kirste, S. Kollowa, K. Irmschera, M. Bickermanna. Cryst. Eng. Comm., 18, 3488 (2016)
V.Y. Davydov, Y.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evarestov. Phys. Rev. B, 58, 12899 (1998)
M. Kuball, J.M. Hayes, Y. Shi, J.H. Edgar. Appl. Phys. Lett., 77 (2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель