Вышедшие номера
Омические контакты к приборным структурам на основе нитрида галлия
Переводная версия: 10.1134/S1063782620030197
Минобрнауки России, Разработка микроскопических моделей для прогнозирования и исследования термодинамических и кинетических свойств твердых растворов, включая полупроводниковые системы, 3.3572.2017/ПЧ
Желаннов А.В. 1,2, Ионов А.С.1, Селезнев Б.И. 2, Федоров Д.Г. 1
1АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
2Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
Email: ZhelannovAV@okbplaneta.ru, IonovAS@okbplaneta.ru, Boris.Seleznev@novsu.ru, FedorovDG@okbplaneta.ru
Поступила в редакцию: 23 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

Представлены исследования характеристик омических контактов к эпитаксиальным и ионно-легированным слоям нитрида галлия на основе системы металлизации Cr/Pt/Au. Показана возможность формирования низкоомных контактов без использования высокотемпературной обработки. Для гетероструктур на основе AlGaN/GaN показано улучшение характеристик омических контактов Ti/Al/Ni/Au при использовании ионной имплантации через маску двуокиси кремния. Ключевые слова: гетероструктура, нитрид галлия, омический контакт, система металлизации, ионная имплантация, быстрый термический отжиг, удельное контактное сопротивление.