Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода

Лошаченко А.С.¹, Вывенко О.Ф.¹, Шек Е.И.², Соболев Н.А.²

¹Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия Fock Institute of Physics, St.Petersburg State University, Petergof, Russia

Fock Institute of Physics, St.Petersburg State University, Petergof, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 июля 2012 г.

Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом нестационарной емкостной спектроскопии впервые исследованы электрически активные уровни в p-Cz-Si, имплантированном ионами кислорода и отожженном в хлорсодержащей атмосфере. Измерены температурные зависимости скорости термической эмиссии дырок с уровней в валентную зону, и исследовано влияние условий отжига на концентрацию образовавшихся уровней. Обнаруженные нами глубокие и мелкие уровни в образцах с дислокационной люминесценцией достаточно близки по своим параметрам к уровням, ранее наблюдавшимся в образцах с протяженными дефектами, полученных различными методами (деформация, образование кислородных преципитатов и прямое сращивание пластин). Некоторые отличия в этих параметрах обусловлены изменениями полей напряжений от протяженных дефектов, обусловленными конкретными технологическими условиями их формирования.

Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23, 651 (1976)
Н.А Соболев. ФТП, 44 (1), 3 (2010)
Н.А. Соболев, О.В. Конончук (2006), не опубликовано
A. Bondarenko, O. Vyvenko, I. Kolevatov, I. Isakov, O. Kononchuk. Sol. St. Phenomena, 178--179, 233 (2011)
I. Isakov, A. Bondarenko, O. Vyvenko, V. Vdovin, E. Ubyivovk, O. Kononchuk. J. Phys.: Conf. Ser., 281, 012 010 (2011)
Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, Е.И. Шек. В сб.: Тр. XIX Междунар. совещ. Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 2009) с. 111
C. Kisielowski, E. Weber. Phys. Rev. B, 44, 1600 (1991)
A. Castaldini, D. Cavalcoli, A. Cavallini, S. Pizzini. Phys. Rev. Lett., 95, 076 401 (2005)
D. Cavalcoli, A. Cavallini. Phys. Status Solidi C, 4 (8), 2871 (2007)
N. Lehto. Phys. Rev. B, 55, 15 601 (1997)
M. Trushin, O. Vyvenko, V. Vdovin, M. Kittler. J. Phys.: Conf. Ser., 281, 012 009 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель