Вышедшие номера
Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb
Хвостиков В.П.1, Сорокина С.В.1, Хвостикова О.А.1, Тимошина Н.Х.1, Потапович Н.С.1, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Андреев В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

С помощью метода диффузии цинка из газовой фазы разработаны и изготовлены сильноточные фотоэлементы на основе антимонида галлия для использования в солнечных батареях и системах с расщеплением солнечного спектра при высоких кратностях концентрирования солнечного излучения, для термофотоэлектрических генераторов с высокой температурой эмиттера, а также для преобразования лазерной энергии. Исследовано влияние толщины диффузионного p+-слоя на основные характеристики фотоэлемента. Определены оптимальный профиль легирования и глубина залегания p-n-перехода, обеспечивающие высокую эффективность фотоэлектрического преобразования при плотностях фототока вплоть до 100 A/cм2.