Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурно-зависимое интегральное поглощение экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах
Переводная версия: 10.1134/S1063782620040156 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: sv.exciton@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 28 ноября 2019 г.
Принята к печати: 2 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
Данная работа выделяет экспериментальное использование температурного фактора при изучении интегрального поглощения как метода экспериментального подтверждения и исследования механизма экситон-поляритонного светопереноса вблизи края фундаментального поглощения в полупроводниковых кристаллах с пространственной дисперсией. Обобщены результаты экспериментальных исследований температурно-зависимого интегрального экситонного поглощения, приведены экспериментально определенные значения критической температуры, выше которой интегральное поглощение становится постоянным, соответствующие ему значения критического параметра затухания и продольно-поперечного расщепления для исследованных авторами полупроводников CdTe, GaAs, InP, ZnSe, ZnTe. Ключевые слова: экситонное поглощение, интегральное поглощение, температурно-зависимое поглощение, экситонный поляритон, полупроводниковые кристаллы.
- Н.Н. Ахмедиев. ЖЭТФ, 79, 1534 (1980)
- С.И. Пекар. ЖЭТФ, 33, 1022 (1957)
- J.J. Hopfield, D.G. Tomas. Phys. Rev., 132 (2), 563 (1963)
- А.С. Давыдов. Теория твердого тела (М., Наука, 1976)
- J. Voigt. Phys. Status Solidi B, 64 (2), 549 (1974)
- Н.Н. Ахмедиев, Г.П. Голубев, В.С. Днепровский, Е.А. Жуков. ФТТ, 25 (7), 2225 (1983)
- V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Semicond. Sci. Techn., 8, 1235 (1993)
- С.А. Ваганов, Р.П. Сейсян. Письма ЖТФ, 38 (19), 9 (2012)
- G.N. Aliev, O.S. Coschug-Toates, V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Proc. SPIE, 1985, 794 (1993)
- R.M. Datsiev, V.A. Kosobukin, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova. Proc. 3rd Int. Symp. on Excitonic Processes in Condensed Matter (EXCON'98), 98-25, 228 (1998)
- R. Passler, E. Griebl, H. Riepl, G. Lautner, S. Bauer, H. Preis, W. Gebhardt, B. Buda, D.J. As, D. Schikora, K. Lischka, K. Papagelis, S. Ves. J. App. Phys., 86 (8), 4403 (1999)
- M.A. Osman, A.A. Othman. J. Phys. B: Condens. Matter, 239 (3), 231 (1997)
- A.J. Fischer, W. Shan, J.J. Song, Y.C. Chang, R. Horning, B. Goldenberg. Appl. Phys. Lett., 71, 1981 (1997)
- I.S. Gorban', A.P. Krokhmal', Z.Z. Yanchuk. Phys. Solid State, 42 (9), 1625 (2000)
- V.M. Kramar, N.K. Kramar, B.M. Nitsovich. Proc. SPIE (6th Intern. Conf. on Correlation Optics), 5477, 242 (2004)
- С.А. Ваганов, Р.П. Сейсян. Письма ЖТФ, 38 (3), 39 (2012)
- R.P. Seisyan, V.A. Kosobukin, S.A. Vaganov, M.A. Markosov, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, A.K. Bakarov, A.I. Toropov. Phys. Status Solidi C, 2 (2), 900 (2005)
- С.А. Ваганов, Р.П. Сейсян. ФТП, 45 (1), 104 (2011)
- Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М., Наука, 1984)
- A.R. Goi, A. Cantarero, K. Syassen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 41 (14), 10111 (1990)
- D.S. Gerber, G.N. Maracas. IEEE J. Quant. Electron., 29 (10), 2589 (1993)
- С.А. Марков, Р.П. Сейсян, В.А. Кособукин. ФТП, 38 (2), 230 (2004)
- C. Weisbuch, R.G. Ulbrich. Light Scattering in Solids III: Recent Results, ed. by M. Cardona, G. Guntherodt (Berlin--Heidelberg, Springer, 1982) p. 207
- S. Rudin, T.L. Reinecke, B. Segall. Phys. Rev. B, 42 (17), 11218 (1990)
- Р.П. Сейсян. ФТП, 58 (5), 833 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
