Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Многоуровневая запись в тонких пленках Ge2Sb2Te5
Переводная версия: 10.1134/S1063782620040065 
Фефелов С.А.
1, Казакова Л.П.
1,2, Богословский Н.А.
1, Былев А.Б.
2, Якубов А.О.
3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. С.М. Кирова, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. С.М. Кирова, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: s.fefelov@list.ru, ljudakaz@yandex.ru, nikitabogoslovskiy@gmail.com, ab_bylev@mail.ru
Поступила в редакцию: 31 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 25 ноября 2019 г.
Принята к печати: 25 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на тонких пленках Ge2Sb2Te5 в токовой моде. Установлен эффект многоуровневой записи при последовательной подаче на образец импульсов тока с возрастающим максимальным значением. Показано, что этот эффект может быть связан с расширением канала памяти. Получена оценка размера канала памяти. Сделан вывод о возможности использования пленок Ge2Sb2Te5 в качестве мемристора. Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, эффект переключения, фазовая память, шнур тока, многоуровневая запись.
- A. Athmanathan, M. Stanisavljevic, N. Papandreou, H. Pozidis, E. Eleftheriou. IEEE JETCAS, 6, 87 (2016)
- T. Nirschl, J.B. Philipp, T.D. Happ, G.W. Burr, B. Rajendran, M.-H. Lee, A. Schrott, M. Yang, M. Breitwisch, C.-F. Chen, E. Joseph, M. Lamorey, R. Cheek, S.-H. Chen, S. Zaidj, S. Raoux, Y.C. Chen, Y. Zhu, R. Bergmann, H.-L. Lung, C. Lam. Techn. Dig. Int. Electron Dev. Meet (IEDM --- Washington, December 10--12, United States, 2007) p. 461.
- С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, С.А. Яковлев, С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин. Тр. Междунар. симп. МФГФП-1 "Физика межфазных границ и фазовые переходы" (Ростов-н/Д., Россия, 2011) с. 155
- С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин, Д. Арсова, В. Памукчиева. ЖТФ, 84, 80 (2014)
- Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 43 (10), 1378 (2009)
- N.A. Bogoslovskij, K.D. Tsendin. J. Non-Cryst. Sol., 357, 992 (2011)
- N. Bogoslovskiy. Phys. Status Solidi B, 250 (8), 1563 (2013)
- N. Bogoslovskiy, K. Tsendin. Solid-State Electron., 129, 10 (2017)
- С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 52 (12), 1503 (2018)
- T. Kato, K. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys., 44 (10), 7340 (2005).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
