Вышедшие номера
Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой
Шиленас А.1, Пожела Ю.1, Пожела К.1, Юцене В.1, Васильевский И.С.2, Галиев Г.Б.3, Пушкарев С.C.3, Климов Е.А.3
1Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, Вильнюс, Литва
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 16 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Исследована зависимость подвижности и дрейфовой скорости электронов от условий роста, толщины и параметров легирования InAs-вставки в центре квантовой ямы селективно легированной гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InAlAs. Получено рекордное повышение до (2-4)·107 см/с дрейфовой скорости электронов в электрическом поле 5·103 В/см в квантовый яме InGaAs толщиной 17 нм при толщине нелегированной InAs-вставки 4 нм. Показано, что при дополнительном легировании InAs-вставки с повышением плотности электронов в квантовой яме до 4.0·1012 см-2 максимальная дрейфовая скорость достигает 2·107 см/с в поле 7·103 В/см.