Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Прогнозирование величины захваченного заряда в захороненном оксиде кремния структур кремний-на-изоляторе с применением эффекта Пула-Френкеля
Переводная версия: 10.1134/S1063782620050127 
1Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
Email: alsh92@rambler.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 10 декабря 2019 г.
Принята к печати: 16 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.
Проведено исследование возможности прогнозирования с применением эффекта Пула-Френкеля величины захваченного заряда в захороненном оксиде кремния структур кремний-на-изоляторе. Путем измерения и моделирования вольт-амперных характеристик захороненного оксида кремния при разных температурах определены условия для эффекта Пула-Френкеля в этом слое. Рассмотрены процессы, протекающие в захороненном оксиде при измерении вольт-амперных характеристик и отжиге. Определены условия термополевой обработки захороненного оксида для имитации радиационного воздействия с помощью инжекции. Проведена оценка зависимости величины накопленного положительного заряда в захороненном оксиде кремния в результате инжекции от величины тока Пула-Френкеля. Показана возможность применения эффекта Пула-Френкеля для оценки дефектности захороненного оксида при изготовлении микросхем с повышенной дозовой радиационной стойкостью. Ключевые слова: кремний-на-изоляторе, оксид кремния, эффект Пула-Френкеля, инжекция носителей заряда, радиационная стойкость.
- А.А. Ширяев, В.М. Воротынцев, Е.Л. Шоболов. ФТП, 52 (9), 990 (2018)
- M. Knoll, D. Braunig, W.R. Fahrner. J. Appl. Phys., 53 (10), 6946 (1982)
- G.K. Celler, S. Cristoloveanu. J. Appl. Phys., 93 (9), 4955 (2003)
- А.А. Ширяев, В.М. Воротынцев, Е.Л. Шоболов. Электрон. техн., cер. 2. Полупроводниковые приборы, 3 (254), 29 (2019)
- F.C. Chiu. Adv. Mater. Sci. Engin., 2014, 578168 (2014)
- R.A.B. Devine. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 46 (1-4), 244 (1990)
- S.T. Pantelides, Z.-Y. Lu, C. Nicklaw, T. Bakos, S.N. Rashkeev, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf. J. Non-Cryst. Solids, 354, 217 (2008)
- A.G. Revesz, G.A. Brown, H.L. Hughes. J. Electrochem. Soc., 140 (11), 3222 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
