Исследовано влияние одноосной упругой деформации на вольт-амперную характеристику в поверхностно-барьерных диодах типа Sb-p-Si<Mn>-Au. Показано, что чувствительность обратного тока структуры к одноосному сжатию значительно превосходит соответствующую чувствительность прямого тока при одинаковых значениях приложенного напряжения. Увеличение прямого тока данных структур при деформации обусловлено внутренним усилением, связанным с перераспределением приложенного напряжения между базой и барьером. Ключевые слова: кремний, поверхностно-барьерный диод, одноосная деформация.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.