Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Импедансные характеристики γ-облученных твердых растворов (TlGaSe₂)_1-x(TlInS₂)_x

DOI: 10.21883/FTP.2020.06.49376.9172

Переводная версия: 10.1134/S1063782620060159

Сардарлы Р.М.¹, Салманов Ф.Т.¹, Алиева Н.А.¹, Аббаслы Р.М.²

¹Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Radiation Problems, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Institute of Radiation Problems, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

²Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан Baku State University, Baku, Azerbaijan

Email: sardari@yahoo.com, famin-salmanov@rambler.ru, nur.elizade@rambler.ru, sardarli@yahoo.com

Поступила в редакцию: 28 мая 2019 г.

В окончательной редакции: 23 сентября 2019 г.

Принята к печати: 27 января 2020 г.

Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами импедансной спектроскопии исследованы процессы переноса заряда в твердых растворах (TlGaSe₂)_1-x(TlInS₂)_x в диапазоне частот 20-10⁶ Гц до и после γ-облучения. Установлен релаксационный характер дисперсии диэлектрической проницаемости, а также природа диэлектрических потерь. Частотная зависимость тангенса угла диэлектрических потерь (tg delta) в кристаллах твердых растворов (TlGaSe₂)_1-x(TlInS₂)_x обусловлена не только релаксационной поляризацией, но и сквозной проводимостью. Рассчитаны значения времени релаксации tau=10^-3 с. Установлено, что в частотном интервале 10⁵-5·10⁵ Гц для электропроводности выполняется закономерность sigma~ f^S (0.1≤ S≤1.0), указывающая на проводимость по локализованным состояниям. Дальнейший рост частоты приводит к росту ионной проводимости переходу системы в суперионное состояние. Ключевые слова: твердые растворы, диэлектрическая проницаемость, время релаксации, диэлектрические потери, проводимость, импеданс.

A.M. Panich, R.M. Sardarly. Physical Properties of the Low Dimensional A³B⁶ and A³B³C₆₂. Compounds (Nova Science Publishers, N. Y., 2010)
R.M. Sardarly, O.A. Samedov, A.P. Abdullaev, F.T. Salmanov, A. Urbanovic, F. Garet. Jpn. J. Appl. Phys., 50, 1 (2011)
Р.M. Sardarly, O.A. Samedov, A. Sardarli, N.A. Aliyeva, R.Sh Aqayeva, T. Musazade. Int. J. Theor. Appl. Nanotechnol., 1, 20 (2012)
F.M. Gashimzade, B.R. Gadzhiev, K.R. Alakhverdiyev. R.M. Sardarly. Sov. Phys. Solid State, 27 (8), 2286 (1985)
Э.Ю. Салаев, К.Р. Аллахвердиев, Ш.Г. Гасымов, Т.Г. Мамедов. А. c. СССР. N 118229 (1984)
И.В. Алексеев, С.В. Розов. Патент N 80070 (2009)
A.M. Panich. J. Phys. Condens. Matter, 20, 293202 (2008)
E. Senturk, L. Tumbek, F. Salehli, F.A. Mikailov. Cryst. Res. Technol., 40, 248 (2005)
F.A. Mikailov, E. Basaran, T.G. Mammadov, M.Yu. Seyidov, E. Senturk. Physica B, 334, 13 (2003)
F.A. Mikailov, E. Basaran, E.S. Entu, L.Tu. Mbek, T.G. Mammadov, V.P. Aliev. Phase Transit., 76, 1057 (2003)
N.A. Abdullayev, T.G. Mammadov, R.A. Suleymanov. Phys. Status Solidi B, 242, 983 (2005)
M.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov. Phys. Solid State, 50, 1219 (2008)
M.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, T.G. Mammadov, A.K. Fedotov, S.S. Babayev, G.M. Sharifov. Jpn. J. Appl. Phys., 50, 05FD07-2 (2011)
A.K. Fedotov, M.I. Tarasik, T.G. Mammadov, I.A. Svito, P. Zhukowski, T.N. Koltunowicz, M.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, V. Grivickas, V. Bicbaevas. Electrical Rev., 88, 301 (2012) (in Polish)
K. Allakhverdiev, R. Sardarly, F. Wondre, J.F. Ryan. Phys. Status Solidi B, 88, K5 (1978)
S.N. Mustafayev, V.A. Aliev, M.M. Asadov. Sov. Solid State Phys., 40, 561 (1998)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. (М., Мир, 1982) т. 1
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (M., Наука, 1979)
M. Pollak. Phys. Rev., 122, 4, 1742 (1961)
В.В. Брыксин, М.Н. Дьяконов, В.М. Муждба, С.Д. Ханин. ФТТ, 23, 1516 (1981)
В.Н. Андреев, В.А. Климов. ФТТ, 61, 1519 (2019)
В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах (М., Физмателит, 2013) с. 288
Р.М. Сардарлы, А.П. Абдуллаев, Н.А. Алиева, Ф.Т. Салманов, М.Ю. Юсифов, А.А. Оруджева. ФТП, 52, 1111 (2018)
Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Э.К. Гусейнов, Ф.Т. Салманов, Г.Р. Сафарова. ФТП, 44, 610 (2010)
Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Ф.Т. Салманов, О.З. Алекперов, Э.К. Гусейнов, Н.А. Алиева. ФТП, 45, 1441 (2011)
Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, Н.А. Алиева, А.П. Абдуллаев, Э.К. Гусейнов, Ф.Т. Салманов. ФТП, 49, 1704 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель