Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства полупроводниковых квантовых точек

Харламов В.Ф.¹, Коростелёв Д.А.¹, Богораз И.Г.¹, Миловидова О.А.¹, Сергеев В.О.¹

¹Государственный университет --- учебно-научно-производственный комплекс, Орел, Россия

Поступила в редакцию: 28 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.

PDF версия

Предложен метод, позволяющий получать частицы полупроводников объемом V~10^-20 cм³ (квантовые точки) с концентрацией до 10¹¹ см^-2 и электрические контакты к каждой из них. Обнаружена высокая изменчивость электрических свойств таких частиц из оксида металла (CuO или NiO) после хемосорбции молекул газов.

A.S. Ioselevich, D.S. Lyubshin. Письма ЖЭТФ, 90, 746 (2009)
С.А. Гриднев, А.Г. Горшков, А.В. Ситников, Ю.Е. Калинин. ФТТ, 48, 1115 (2006)
И.В. Рожанский, Д.А. Закгейм. ФТП, 39, 608 (2005)
I. Balberg. Carbon, 40, 139 (2002)
Л.В. Луцев, Т.К. Звонарева, В.М. Лебедев. Письма ЖТФ, 27, 84 (2001)
В.Ф. Харламов, Д.А. Коростелев, И.Г. Богораз, О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов. Письма ЖТФ, 37 (11), 43 (2011)
В.Ф. Харламов, Д.А. Коростелев, И.Г. Богораз, О.А. Миловидова. ФТТ, 54 (6), 1204 (2012)
Ч. Пул, Ф. Оуэнс, мл. Hанотехнологии (М., Техносфера, 2009) с. 189, 216. [Пер. с англ.: Ch.P. Pool, F.J. Owens, jr. Introduction to nanotechnology (London, Wiley-Interscience J. Wiley and Sons Inc. Publication, 2007)]
А.И. Гусев. Hаноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии (М., Физматлит, 2007)
Xavier Cartoixa, Lin-Wang Wang. Phys. Rev. Lett., 94, 236 804 (2005)
А.А. Семёнов, Д.А. Усанов. Письма ЖТФ, 34 (18), 9 (2008)
В.М. Кожевин, Д.А. Явсин, И.П. Смирнова, М.М. Кулагина, С.А. Гуревич. ФТТ, 45 (10), 1895 (2003)
Ш.Л. Измайлов, В.Ф. Харламов. Кинетика и катализ, 23 (5), 1179 (1982)
В.Ф. Харламов. Рекомбинация атомов на поверхности твердых тел и сопутствующие эффекты (Томск, Изд-во ТГУ, 1994) с. 80, 174
В.Ф. Харламов. Кинетика и катализ, 46 (4), 497 (2005)
В.Ф. Харламов, А.В. Седов, С.Н. Ромашин. Письма ЖТФ, 30 (18), 1 (2004)
В.Ф. Харламов. Поверхность, 11, 151 (1990)
F.E. Camino, Wei Zhou, V.J. Goldman. Phys. Rev. Lett., 98, 076 805 (2007)
Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
R.P. Eischens, W.A. Pliskin, M.J.D. Low. J. Catalysis, 1, 180 (1962)
Д.В. Мельников, А.И. Подливаев. ФТП, 32 (2), 227 (1998)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Hаука, 1990) с. 553

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель