Вышедшие номера
Исследование влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение МНЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs
Галиев Г.Б.1, Пушкарев С.С.1,2, Васильевский И.С.2, Жигалина О.М.3, Климов Е.А.1, Жигалина В.Г.3, Имамов Р.М.3
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.

Представлены результаты исследования влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As/In0.70Al0.30As МНЕМТ-наногетероструктур на подложке GaAs. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены два типа МНЕМТ-структур - один с линейным увеличением x в метаморфном буфере InxAl1-xAs, а второй - с двумя рассогласованными сверхрешетками, внедренными внутрь метаморфного буфера. Методами Ван-дер-Пау, просвечивающей электронной микроскопии (в том числе растровой и высокоразрешающей), атомно-силовой микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы электрофизические и структурные параметры выращенных образцов. Выявлено, что введение сверхрешеток в метаморфном буфере существенно улучшает электрофизические и структурные характеристики МНЕМТ-структур.