Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование характеристик фоторезисторов на основе гидрохимически осажденных пленок твердого раствора Pb0.902Sn0.098Se
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия 
Поступила в редакцию: 4 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
Разработаны экспериментальные образцы фоторезисторов на основе полупроводниковой пленки твердого раствора Pb0.902Sn0.098Se, полученной по технологии послойного осаждения индивидуальных селенидов свинца и олова (II) с последующей термоактивацией. Исследованы структура и морфология тонкопленочных композиций (SnSe-PbSe)2. Изучены температурные зависимости темнового сопротивления, сигнала, шумов и их соотношения, а также частотные и спектральные характеристики фоторезисторов, изготовленных на основе пленок Pb0.902Sn0.098Se, в диапазоне 205-300 K. Определены оптимальные значения напряжения смещения. Показано, что для фоторезисторов на основе Pb0.902Sn0.098Se положение максимума и правой границы фотоответа сдвигается по сравнению с PbSe в длинноволновую область спектра на 0.7 мкм. Полученное при 230 K максимальное значение обнаружительной способности исследованных фоторезисторов (2.0x2.0 мм) составило 9·109 см·Вт-1Гц1/2. Показаны преимущества использования фоторезисторов на основе пленок Pb0.902Sn0.098Se по сравнению с PbSe в спектральном диапазоне 3.0-5.5 мкм.
- Р.Ж. Киес, П.В. Крузе, Э.Г. Патли. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов (М., Радио и связь, 1985)
- Ж. Госсорг. Инфракрасная термография. Основы, техника, применение (М., Мир, 1988)
- Б.Н. Формозов. Аэрокосмические фотоприемные устройства видимого и инфракрасного диапазона (СПб., ГУАП, 2002)
- Л.Н. Курбатов. Прикл. физика, 3, 5 (1999)
- А.М. Юшин. Оптоэлектронные приборы и их зарубежные аналоги. Справочник (М., ИП Радиософт, 2000)
- Б.А. Волков, О.А. Панкратов, А.В. Сазонов. ФТТ, 26 (2), 430 (1984)
- В.С. Земсков, В.Б. Лазарев. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник (М., Наука, 1978)
- Н.П. Гавалешко, П.Н. Горлей, В.А. Шендеровский. Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства (Киев, Наук. думка, 1984)
- A. Szczerbakow, J. Berger. J. Cryst. Growth, 139 (1, 2), 172 (1994)
- А.В. Сазонов. Автореф. канд. дис. (М., 1984)
- Х.Н. Мухамедзянов, М.П. Миронов, С.И. Ягодин, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков. Цветные металлы, 12, 57 (2009)
- Н.А. Третьякова, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Х.Н. Мухамедзянов. Конденсированные среды и межфазные границы, 7 (2), 189 (2005)
- В.Ф. Марков, М.П. Миронов, С.В. Брежнев, Л.Н. Маскаева. Бутлеровские сообщения, 17 (6), 22 (2000)
- Н.А. Третьякова, В.Ф. Марков, М.П. Миронов, В.Ф. Дьяков, Л.Н. Маскаева. Химия и хим. технология, 51 (7), 37 (2008)
- М.П. Миронов, А.Ю. Кирсанов, В.Ф. Дьяков, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков. Бутлеровские сообщения, 19 (3), 45 (2010)
- В.Ф. Марков, Х.Н. Мухамедзянов, Л.Н. Маскаева, З.И. Смирнова. ФТП, 45, 1459 (2011)
- L. Vegard. Z. Phys., 5, 17 (1921)
- ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia, 14--159 (1968)
- М.П. Миронов, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Дьяков, Р.Д. Мухамедьяров, Х.Н. Мухамедзянов, З.И. Смирнова. Патент РФ N 2357321 (15) МЖГ Н01L21/36. Опубл. 27.05.2009. Бюл. N 15. 4 c
- В.В. Тарасов, Ю.Г. Якушенков. Инфракрасные системы смотрящего" типа (М., Логос, 2004)
- Я.П. Салий. ФТП, 40 (2), 177 (2006)
- В.Ф. Дьяков, М.П. Миронов, Р.Д. Мухамедьяров, Х.Н. Мухамедзянов, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева. Журн. "Транспорт Урала", 21 (2), 94 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
