Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов

Тысченко И.Е.¹, Володин В.А.², Фельсков М.³, Черков А.Г.¹, Попов В.П.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Институт ионно-лучевой физики и материаловедения, Дрезден, Германия

Поступила в редакцию: 25 июня 2012 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием импульсного миллисекундного отжига. Сразу после имплантации ионов водорода обнаружено формирование трехфазной структуры, состоящей из нанокристаллов кремния, аморфного кремния и водородных пузырей. Показано, что при импульсном отжиге нанокристалическая структура пленок сохраняется вплоть до температуры ~1000^oC. С ростом температуры миллисекундного отжига размеры нанокристаллов увеличиваются от 2 до 5 нм, а доля нанокристаллической фазы возрастает до ~70%. Из анализа энергии активации роста кристаллической фазы сделано предположение о том, что процесс кристаллизации пленок кремния с большим (~50 ат%) содержанием водорода лимитирован диффузией атомарного водорода.

B. Yan, G. Yue, J.M. Owens, J. Yang, S. Guha. Appl. Phys. Lett., 85, 1925 (2004)
R. Biswas, C. Xu. Opt. Express, 19, A664 (2011)
B. Rech, H. Wagner. Appl. Phys. A, 69, 155 (1999)
A. Chowdhury, S. Mukhopadhyay, S. Ray. Solar. Energy Mater. Solor. Cells., 93, 597 (2009)
S. Mukhopadhyay, R. Goswami, S. Ray. Sol. Energy Mater. Solar. Cells., 93, 674 (2009)
S. Klein, F. Finger, R. Carius, T. Dylla, B. Rech, M. Grimm, L. Houben, M. Stutzmann. Thin. Sol. Films, 430, 202 (2003)
M.S. Valipa, S. Sriraman, E.S. Aydil, D. Maroudas. J. Appl. Phys., 100, 053 515 (2006)
Q.-Y. Tong, K. Gutjahr, S. Hopfe, U. Gosele, T.-H. Lee. Appl. Phys. Lett., 70, 1390 (1997)
F.A. Sarrot, Z. Iqbal, S. Veprek. Sol. St. Commun., 42, 465 (1982)
A.P. Sokolov, A.P. Shebanin, O.A. Golikova, M.M. Mezdrogina. J. Phys.: Condens. Matter, 3, 9887 (1991)
N.N. Ovsyuk, V.N. Novikov. Phys. Rev., 57, 14 615 (1998)
N.H. Nickel, E.A. Schiff. Phys. Rev. B., 58, 1114 (1998)
D.T. Britton, A. Hempel, M. Harting, G. Kogel, P. Sperr, W. Triftshauser, C. Arendse, D. Knoesen. Phys. Rev. B., 64, 075 403 (2001)
G. Faraci, S. Gibilisco, P. Russo, A. Pennisi. Phys. Rev. B, 73, 033 307 (2006)
J. Zi, H. Buscher, C. Falter, W. Ludwig, K. Zhang, X. Xie. Appl. Phys. Lett., 69, 200 (1996)
E. Bustarret, M.A. Hachicha, M. Brunel. Appl. Phys. Lett., 52, 1675 (1988)
J. Gonzalez-Hermandez, R. Tsu. Appl. Phys. Lett., 42, 90 (1983)
T. Okada, T. Iwaki, H. Kasahara, K. Yamamoto. Sol. St. Commun., 52, 363 (1984)
U. Kostner. Phys. Status Solidi A, 48, 313 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель