Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование радиационных эффектов в МОП-транзиcторе с p-каналом

DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49643.9397

Переводная версия: 10.1134/S1063782620080138

Кузьминова А.В.

¹, Куликов Н.А¹, Попов В.Д. ¹

¹Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

Email: avkuzminova@mephi.ru, nikita93-07@bk.ru, wdpopov@mail.ru

Поступила в редакцию: 18 марта 2020 г.

В окончательной редакции: 31 марта 2020 г.

Принята к печати: 31 марта 2020 г.

Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.

PDF версия

Рассматривается воздействие γ-излучения на образование поверхностных дефектов на границе раздела Si-SiO₂ в МОП-транзисторе с p-каналом в пассивном режиме. Наблюдалось несколько процессов поверхностного дефектообразования. Показана роль молекулярного водорода в подзатворном оксиде МОП-транзистора и "горячих" электронов, образующихся в приповерхностной области кремния. Ключевые слова: МОП-транзистор, p-канал, γ-излучение, молекулярный водород, "горячие" электроны.

Л.В. Курносова. УФН, 52 (4), 603 (1954)
T.R. Oldham, F.B. Mc Lean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (3), 483 (2003)
N.A. Kulikov, V.D. Popov. Semiconductor, 53 (1), 110 (2019)
K.A. Petukhov, V.D. Popov. Sensors Systems., 2 (222), 53 (2018) (In Russian)
S.T. Pandelides, S.N. Rashkeev, R. Buczko, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf. IEEE Trans. Nucl. Sci., 47, 2262 (2000)
M.A. Bulusheva, V.D. Popov, G.A. Protopopov, A.V. Skorodumova. Semiconductors, 44 (4), 508 (2010)
S.N. Rashkeev, C.R. Cirba, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, S.C. Witczak, A. Michez, S.T. Pandelides. IEEE Trans. Nucl. Sci., 49 (6), 2650 (2002)
S.N. Rashkeev, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, S.T. Pandelides. IEEE Trans. Nucl. Sci., 51 (6), 3158 (2004)
J.R. Schwank, P.S. Winokur, P.J. Mc Whorter, F.W. Sexton, P.V. Dressendorfer, D.C. Turpin. IEEE Trans. Nucl. Sci., 31 (6), 1434 (1984)
A.J. Lelis, T.R. Oldham, H.E. Boesh, F.B. Mc Lean. IEEE Trans. Nucl. Sci,. 31 (6), 1808 (1989)
N.S. Saks, R.B. Klein, D.L. Griscom. IEEE Trans. Nucl. Sci., 35 (6), 1234 (1988)
J. Mc Whorter, P.S. Winokur. Appl. Phys. Lett., 48 (2), 133 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель