Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода
Переводная версия: 10.1134/S1063782620080096 
1Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия 
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Email: garmashvalentine@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 31 марта 2020 г.
Принята к печати: 31 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.
Исследовано влияние атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода. Показано, как от конфигурации вхождения примесных атомов водорода в молекулярную структуру осажденного в плазме слоя нитрида кремния зависит последующий процесс его плазмохимического травления. Исследована зависимость скорости травления от параметров технологического процесса (рабочее давление в камере, мощность генератора плазмы, потоки рабочих газов, температура осаждения). Показано, что скорость травления пленки HxSirNzHy не зависит напрямую от содержания водорода, но существенно зависит от соотношения [Si-H]/[N-H]-связей. Скорость травления HxSirNzHy в плазме высокой плотности при малых мощностях значительно меньше зависит от конфигурации водородных связей, чем скорость травления этого диэлектрика в буферном травителе. Ключевые слова: плазмохимическое травление, плазмохимическое осаждение, нитрид кремния, ИК-фурье-спектрометрия, водородные связи.
- W.-Sh. Feng, Y.J. Chen. Appl. Mech. Mater., 397-400 (2013)
- S.P. Murarka, M. Eizenberg, A.K. Sinha. Interlayer Dielectrics for Semiconductor Technologies (Academic Press., 2003) ISBN 978-0-12-511221-5
- X. Li, X. Yin, L. Zhang, T. Pan. Mater. Sci. Eng. A, 527 (1-2), 103 (2009)
- B. Zheng, C. Zhou, Q. Wang, Y. Chen, W. Xue. Adv. Mater. Sci. Eng., 2013, 835942 (2013)
- П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, С.А. Королев, А.И. Охапкин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. ФТП, 49 (11), 1469 (2015)
- H. Mackel, R. Ludemann. J. Appl. Phys., 92 (5): 2602 (2002)
- В.А. Бабуров, В.Е. Земляков, В.А. Красник. Электрон. техн. Сер. 1. СВЧ-техника, 2 (505), 50 (2010)
- W.A.P. Claassen, W.G.J.M. Valkenburg, W.M.V.D. Wijgert et al. Thin Sol. Films, 129 (3/4), 239 (1985)
- В.И. Гармаш, В.И. Егоркин, В.Е. Земляков, А.В. Ковальчук, С.Ю. Шаповал. Изв. вузов. Электроника, 109, (5), 33 (2014)
- A. Kovalchuk, G. Beshkov, S. Shapoval. J. Res. Phys., 31 (1), 37 (2007)
- W.A. Lanford, M.J. Rand. J. Appl. Phys., 49, 2473 (1978)
- А.В. Ковальчук, С.Ю. Шаповал, С.С. Лебедев, С.А. Стеблин, А.В. Волосов, Н.И. Каргин. Применение ИК-Фурье спектрометрии для определения атомарного состава субмикронных слоев нитрида кремния HxSirNzHy
- L.J. Tang, Y.F. Zhu, J.L. Yang, Y. Li, W. Zhou, J. Xie et al. J. Semicond., 30 (9), 096005 (2009)
- D.L. Smith. J. Vac. Sci. Technol. A, 11, 1843 (1993)
- D.L. Smith, A.S. Alimonda, C-c. Chen, H.C. Tuan. J. Electron. Mater., 19, 19 (1990)
- D.L. Smith, A.S. Alimonda, C-c. Chen, S.E. Ready, B. Wacker. J. Electrochem. Soc., 137, 614 (1990)
- D.M. Knotter, T.J.J. Denteneer. J. Electrochem. Soc., 148 (3), F43 (2001)
- S.-G. Oh, K.-S. Park, Y.-J. Lee, J.-H. Jeon, H.-H. Choe, J.-H. Seo. Adv. Mater. Sci. Eng., 2014, 608608 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
